L2SD2114KWLT3G [LRC]

Epitaxial planar type NPN silicon transistor High DC current gain; 外延平面型硅NPN晶体管高直流电流增益
L2SD2114KWLT3G
元器件型号: L2SD2114KWLT3G
生产厂家: LESHAN RADIO COMPANY    LESHAN RADIO COMPANY
描述和应用:

Epitaxial planar type NPN silicon transistor High DC current gain
外延平面型硅NPN晶体管高直流电流增益

晶体 晶体管
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型号参数:L2SD2114KWLT3G参数
是否Rohs认证符合
生命周期Contact Manufacturer
IHS 制造商LESHAN RADIO CO LTD
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
风险等级5.75
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.5 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)1200
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
子类别Other Transistors
表面贴装YES
Base Number Matches1