元器件型号: | L2SD2114KWLT3G |
生产厂家: | LESHAN RADIO COMPANY |
描述和应用: | Epitaxial planar type NPN silicon transistor High DC current gain |
PDF文件: | 总4页 (文件大小:72K) |
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型号参数:L2SD2114KWLT3G参数 | |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Contact Manufacturer |
IHS 制造商 | LESHAN RADIO CO LTD |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 5.75 |
Is Samacsys | N |
最大集电极电流 (IC) | 0.5 A |
配置 | Single |
最小直流电流增益 (hFE) | 1200 |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.2 W |
子类别 | Other Transistors |
表面贴装 | YES |
Base Number Matches | 1 |
Epitaxial planar type NPN silicon transistor High DC current gain
外延平面型硅NPN晶体管高直流电流增益