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L2N7002DMT1G 小信号MOSFET 115毫安, 60伏娜????频道SCA ???? 74 (Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts N–Channel SC–74)
.型号:   L2N7002DMT1G
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描述: 小信号MOSFET 115毫安, 60伏娜????频道SCA ???? 74
Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts N–Channel SC–74
文件大小 :   522 K    
页数 : 6 页
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品牌   LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
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100%
乐山无线电公司, LTD 。
小信号MOSFET
115毫安, 60伏
N沟道SC- 74
我们声明该产品的材料
符合RoHS要求。
L2N7002DMT1G
ESD保护: 1000V
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 1.0 MΩ)
漏电流
- 连续T
C
= 25 ° C(注1 )
- 连续
T
C
= 100 ° C(注1 )
- 脉冲(注2 )
栅源电压
- 连续
- 不重复( TP
50
µs)
符号
V
DSS
V
DGR
I
D
I
D
I
DM
价值
60
60
±115
±75
±800
单位
V
dc
V
dc
MADC
SC-74
115毫安
60伏特
R
DS ( ON)
= 7.5
W
N - 通道
V
GS
V
GSM
±20
±40
VDC
VPK
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
(注3 )T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, (注4 ) TA = 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
R
θJA
T
J,
T
英镑
417
-55〜
+150
° C / W
°C
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
R
θJA
P
D
1.封装的功耗可能会导致较低的连续漏极
电流。
2.脉冲测试:脉冲宽度
300
µs,
占空比
2.0%.
3, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
4.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.025 99.5 %的氧化铝。
订购信息
设备
L2N7002DMT1G
L2N7002DMT3G
记号
72D
72D
航运
3000磁带&卷轴
10000带&卷轴
冯.O 1/4
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