MAX34334CSE 第1页-第5页 PDF中文翻译页面详情预览
乐山无线电公司, LTD 。
小信号MOSFET
115毫安, 60伏
N沟道SC- 74
我们声明该产品的材料
符合RoHS要求。
L2N7002DMT1G
ESD保护: 1000V
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 1.0 MΩ)
漏电流
- 连续T
C
= 25 ° C(注1 )
- 连续
T
C
= 100 ° C(注1 )
- 脉冲(注2 )
栅源电压
- 连续
- 不重复( TP
50
µs)
符号
V
DSS
V
DGR
I
D
I
D
I
DM
价值
60
60
±115
±75
±800
单位
V
dc
V
dc
MADC
SC-74
115毫安
60伏特
R
DS ( ON)
= 7.5
W
N - 通道
V
GS
V
GSM
±20
±40
VDC
VPK
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
(注3 )T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, (注4 ) TA = 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
最大
225
1.8
556
300
2.4
R
θJA
T
J,
T
英镑
417
-55〜
+150
° C / W
°C
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
R
θJA
P
D
1.封装的功耗可能会导致较低的连续漏极
电流。
2.脉冲测试:脉冲宽度
300
µs,
占空比
2.0%.
3, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
4.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.025 99.5 %的氧化铝。
订购信息
设备
L2N7002DMT1G
L2N7002DMT3G
记号
72D
72D
航运
3000磁带&卷轴
10000带&卷轴
冯.O 1/4
乐山无线电公司, LTD 。
L2N7002DMT1G
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0, I
D
=250µAdc)
零栅极电压漏极电流
(V
GS
= 0, V
DS
= 60 VDC )
门体漏电流,正向
(V
GS
= 20 V直流)
门体漏电流,反向
(V
GS
= -20伏直流)
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
60
1.0
500
1.0
–1.0
VDC
μAdc
μAdc
μAdc
基本特征
(注2 )
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μAdc )
通态漏电流
(V
DS
2.0 V
DS ( ON)
, V
GS
= 10 VDC )
静态漏源通态电压
(V
GS
= 10 VDC ,我
D
= 500 MADC )
(V
GS
= 5.0伏,我
D
= 50 MADC )
静态漏源导通电阻
T
C
= 25°C
(V
GS
= 10 V,I
D
= 500 MADC )
T
C
= 125°C
(V
GS
= 5.0伏,我
D
= 50 MADC )T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
正向跨导
(V
DS
2.0 V
DS ( ON)
, I
D
= 200 MADC )
V
GS ( TH)
I
D(上)
V
DS ( ON)
r
DS ( ON)
g
FS
80
1.4
1.8
7.5
13.5
7.5
13.5
毫姆欧
3.75
0.375
1.0
500
1.6
2
VDC
mA
VDC
动态特性
输入电容
(V
DS
= 25伏,V
GS
= 0中,f = 1.0 MHz)的
输出电容
(V
DS
= 25伏,V
GS
= 0中,f = 1.0 MHz)的
反向传输电容
(V
DS
= 25伏,V
GS
= 0中,f = 1.0 MHz)的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
17
10
2.5
50
25
5.0
pF
pF
pF
开关特性
(注2 )
导通延迟时间
关断延迟时间
(V
DD
= 25伏直流,我
D
^
500 MADC ,
R
G
= 25
Ω,
R
L
= 50
Ω,
V
= 10 V)
t
D(上)
t
D(关闭)
7
11
20
40
ns
ns
体漏二极管额定值
二极管正向导通电压
(I
S
= 115 MADC ,V
GS
= 0 V)
源电流连续
(体二极管)
源电流脉冲
2.脉冲测试:脉冲宽度
300
µs,
占空比
2.0%.
V
SD
I
S
I
SM
–1.5
–115
–800
VDC
MADC
MADC
冯.O 2/4
乐山无线电公司, LTD 。
L2N7002DMT1G
典型电气特性
2.0
1.8
I
D
,漏极电流( AMPS )
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
1.0
2.0 3.0 4.0 5.0
6.0
7.0 8.0
V
DS ,
漏源极电压(伏)
T
A
= 25°C
V
GS
= 10 V
9V
8V
7V
6V
5V
4V
3V
9.0
10
I
D
,漏极电流( AMPS )
0.8
0.6
0.4
0.2
1.0
V
DS
= 10 V
-55°C
125°C
25°C
0
1.0
2.0 3.0 4.0
5.0
6.0 7.0 8.0
V
GS ,
门源极电压(伏)
9.0
10
图1.欧姆区
图2.传输特性
r
DS ( ON) ,
静态漏源导通电阻
(归一化)
V
GS (TH )
阈值电压(归一化)
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-60
-20
+20
+60
T,温度( ° C)
+100
+140
V
GS
= 10 V
I
D
= 200毫安
1.2
1.05
1.1
1.10
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
0.7
-60
-20
+20
+60
T,温度( ° C)
+100
+140
V
DS
= V
GS
I
D
= 1.0毫安
图3.温度与静
漏源导通电阻
图4.温度与门
阈值电压
冯.O 3/4
乐山无线电公司, LTD 。
L2N7002DMT1G
SC−74
D
6
5
1
2
4
H
E
E
3
b
e
q
0.05 (0.002)
A1
A
L
C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
H
E
q
0.90
0.01
0.25
0.10
2.90
1.30
0.85
0.20
2.50
MILLIMETERS
最大
1.00
1.10
0.06
0.10
0.37
0.50
0.18
0.26
3.00
3.10
1.50
1.70
0.95
1.05
0.40
0.60
2.75
3.00
10°
0.035
0.001
0.010
0.004
0.114
0.051
0.034
0.008
0.099
英寸
0.039
0.002
0.015
0.007
0.118
0.059
0.037
0.016
0.108
最大
0.043
0.004
0.020
0.010
0.122
0.067
0.041
0.024
0.118
10°
冯.O 4/4
乐山无线电公司, LTD 。
压纹带及卷数据
用于分立器件
T最大
外形尺寸
测量边缘
1.5毫米敏
(.06’’)
A
20.2毫米敏
(.795’’)
13.0mm ± 0.5mm
(.512 ±.002’’)
50毫米敏
(1.969’’)
FULL RADIUS
G
内部尺寸
测得的近中心
SIZE
8 mm
一个MAX
178.0mm
(7.0’’)
G
8.4mm+1.5mm, -0.0
(.33’’+.039’’, -0.00)
T最大
10.9mm
(.43’’)
卷轴尺寸
公制尺寸治理 - 英语在括号仅供参考
储存条件:
温度: 5〜40 ℃保温( 20〜 30℃为宜)
湿度: 30〜80 RH ( 40 〜60是首选)
推荐期限:一年后制造
(此推荐周期仅是为了在焊接条件的
该产品的特性和可靠性并不限于
此限制)
相关元器件产品Datasheet PDF文档

L2N7002DMT3G

Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts N–Channel SC–74
暂无信息
14 LRC

L2N7002DW1T1G

Small Signal MOSFEO 115 mAmps, 60 Volts
暂无信息
279 LRC

L2N7002DW1T3G

Small Signal MOSFEO 115 mAmps, 60 Volts
18 LRC

L2N7002KLT1G

Small Signal MOSFET 380 mAmps, 60 Volts N–Channel SOT–23
暂无信息
143 LRC

L2N7002LT1

Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts
暂无信息
22 LRC

L2N7002LT1

Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts
暂无信息
117 LRC
    L2N7002DMT1G
    应用领域和描述

    Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts N–Channel SC–74
    小信号MOSFET 115毫安, 60伏娜????频道SCA ???? 74

    总6页 (522K) LESHAN RADIO COMPANY
    LESHAN RADIO COMPANY
    第一页预览: