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L2N7002KLT1G 小信号MOSFET 380毫安, 60伏娜????频道SOTA ???? 23 (Small Signal MOSFET 380 mAmps, 60 Volts N–Channel SOT–23)
.型号:   L2N7002KLT1G
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描述: 小信号MOSFET 380毫安, 60伏娜????频道SOTA ???? 23
Small Signal MOSFET 380 mAmps, 60 Volts N–Channel SOT–23
文件大小 :   302 K    
页数 : 5 页
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品牌   LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
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100%
乐山无线电公司, LTD 。
L2N7002KLT1G
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
I
DSS
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 60 V
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 50 V
栅极 - 源极漏电流
基本特征
(注2 )
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极至源极导通电阻
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
/T
J
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G( TOT )
Q
G( TH )
Q
GS
Q
GD
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
0.7
V
GS
= 10 V, V
DD
= 10 V,
I
D
= 500毫安
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V;
I
D
= 200毫安
V
GS
= 10 V,I
D
= 500毫安
V
GS
= 5.0 V,I
D
= 50毫安
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
GS
= 0 V,
I
S
= 115毫安
1.4
V
32.8
V
GS
= 0 V , F = 1MHz时,
V
DS
= 25 V
5.4
2.9
0.7
0.1
0.3
0.1
ns
nC
pF
V
DS
= 5 V,I
D
= 200毫安
80
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.0
4.0
1.8
2.5
S
2.5
V
毫伏/°C的
W
I
GSS
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
mA
60
71
1
500
100
±10
nA
mA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
开关特性,V
GS
= V
(注3)
9.9
5.0
39.4
17.9
2.脉冲测试:脉冲宽度
300
女士,
占空比
2%
3.开关特性是独立的工作结点温度
冯.A 2/5
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