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L2SA1774QT1G_11 通用晶体管PNP硅 (General Purpose Transistors PNP Silicon)
.型号:   L2SA1774QT1G_11
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描述: 通用晶体管PNP硅
General Purpose Transistors PNP Silicon
文件大小 :   241 K    
页数 : 3 页
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品牌   LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
购买 :   
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100%
乐山无线电公司, LTD 。
通用晶体管
PNP硅
我们声明该产品符合RoHS要求的材料。
L2SA1774QT1G
系列
设备标记和订购信息
设备
L2SA1774QT1G
L2SA1774QT3G
L2SA1774RT1G
L2SA1774RT3G
L2SA1774ST1G
L2SA1774ST3G
记号
FQ
FQ
FR
FR
FS
FS
航运
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
集热器
3
SC-89
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电源
耗散
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
范围
−60
−50
−6
−0.15
单位
V
V
V
A( DC )
1
BASE
2
辐射源
P
C
0.15
W
Tj
TSTG
150
−55~+150
˚C
˚C
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
COB
分钟。
−60
−50
−6
120
典型值。
140
4.0
马克斯。
−0.1
−0.1
−0.5
560
5.0
单位
V
V
V
µA
µA
V
兆赫
pF
I
C
=−50µA
I
C
=−1µA
I
E
=−50µA
V
CB
=−60V
V
EB
=−6V
I
C
/I
B
=−50mA/−5mA
V
CE
=−6V,
I
C
=−1mA
V
CE
=−12V,
I
E
=
2毫安,女
=
30MHz
V
CB
=−12V,
I
E
=
0A ,女
=
1MHz
条件
!
h
FE
值被分类如下:
h
FE
Q
120~270
R
180~390
S
270~560
Rev.O 1/3
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