MAX34334CSE 第1页-第4页 PDF中文翻译页面详情预览
乐山无线电公司, LTD 。
通用晶体管
NPN硅
我们声明该产品的材料
订购信息
设备
记号
航运
符合RoHS要求。
L2SC2412KQMT1G
系列
3000磁带&卷轴
10000带&卷轴
3000磁带&卷轴
10000带&卷轴
3000磁带&卷轴
10000带&卷轴
L2SC2412KQMT1G
L2SC2412KQMT3G
L2SC2412KRMT1G
L2SC2412KRMT3G
L2SC2412KSMT1G
L2SC2412KSMT3G
最大额定值
BQ
BQ
BR
BR
摹1F
摹1F
SC-74
6
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
5
B
4
E
价值
50
60
7.0
150
0.2
150
-55 ~+150
单位
V
V
V
MADC
W
°C
°C
C
I
C
P
C
T
j
T
英镑
E
B
C
1
2
3
器件标识
L2SC2412KQMT1G = BQ L2SC2412KRMT1G = BR L2SC2412KSMT1G = G1F
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 1 mA)的
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 50
µA)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 50
µA)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 60 V)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 7 V)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
/ I
B
= 50毫安/ 5米A)
直流电流传输比
(V
CE
= 6 V,I
C
= 1毫安)
跃迁频率
(V
CE
= 12 V,I
E
= - 2毫安, F = 30MHz的)
输出电容
(V
CB
= 12 V,I
E
= 0A , F = 1MHz的)
符号
V
V
V
( BR ) CEO
50
7
60
120
典型值
––
180
2.0
最大
0.1
0.1
0.4
560
––
3.5
单位
V
V
V
µA
µA
V
––
兆赫
pF
( BR ) EBO
( BR ) CBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
C
ob
h
FE
值被分类如下:
的hFE
*
Q
120~270
R
180~390
S
270~560
Rev.O 1/4
乐山无线电公司, LTD 。
L2SC2412KQMT1G
系列
图1接地发射传播特性
50
图2接地发射极的输出特性()
100
0.50mA
T
A
= 25°C
V
CE
= 6 V
20
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
80
10
50
T
A
= 100°C
25°C
60
2
1
– 55°C
40
0.5
20
0.2
0.1
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1.6
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
BE
,基地发射极电压( V)
V
CE
,集电极到发射极电压( V)
图3接地发射极的输出特性()
10
图4直流电流增益与集电极电流( )
500
I
C
,集电极电流(毫安)
8
6
h
FE
,直流电流增益
0
4
8
12
16
20
200
100
4
50
2
20
0
10
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
V
CE
,集电极到发射极电压( V)
I
C
,集电极电流(毫安)
图5直流电流增益与集电极电流( )
V
CE ( SAT )
,集电极饱和电压( V)
图6集电极 - 发射极饱和电压与
集电极电流
0.5
500
0.2
h
FE
,直流电流增益
200
0.1
100
0.05
50
0.02
20
0.01
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
10
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
Rev.O 2/4
乐山无线电公司, LTD 。
L2SC2412KQMT1G
系列
图7集电极 - 发射极饱和电压与
集电极电流( )
V
CE ( SAT )
,集电极饱和电压( V)
0.5
图8集电极 - 发射极饱和电压与
集电极电流( )
V
CE ( SAT )
,集电极饱和电压( V)
0.5
0.2
0.2
0.1
0.1
0.05
0.05
0.02
0.02
0.01
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
0.01
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图9增益带宽积与发射极电流
图10集电极输出电容vs.collector - 基极电压
发射inputcapacitance与发射极 - 基极电压
C
ob
,集电极输出电容(pF )
C
ib
极,发射极输入电容(pF )
20
f
r
过渡频率(MHz)
500
10
200
5
100
2
50
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
–50
–100
1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
I
E
,发射极电流(毫安)
V
CB
,集电极到基极电压( V)
V
EB
,发射器基极电压( V)
图11中相应集电极时间常数vs.emitter电流
C c
-
r
bb
,基地集热器时间常数( PS )
200
100
50
20
10
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
I
E
,发射极电流(毫安)
Rev.O 3/4
乐山无线电公司, LTD 。
L2SC2412KQMT1G
系列
SC−74
D
6
5
1
2
4
H
E
E
3
b
e
q
0.05 (0.002)
A1
A
L
C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
H
E
q
0.90
0.01
0.25
0.10
2.90
1.30
0.85
0.20
2.50
MILLIMETERS
最大
1.00
1.10
0.06
0.10
0.37
0.50
0.18
0.26
3.00
3.10
1.50
1.70
0.95
1.05
0.40
0.60
2.75
3.00
10°
0.035
0.001
0.010
0.004
0.114
0.051
0.034
0.008
0.099
英寸
0.039
0.002
0.015
0.007
0.118
0.059
0.037
0.016
0.108
最大
0.043
0.004
0.020
0.010
0.122
0.067
0.041
0.024
0.118
10°
Rev.O 4/4
相关元器件产品Datasheet PDF文档

L2SC2412KQMT3G

General Purpose Transistors NPN Silicon
12 LRC

L2SC2412KRLT1

General Purpose Transistors NPN Silicon
25 LRC

L2SC2412KRLT1G

General Purpose Transistors NPN Silicon
42 LRC

L2SC2412KRMT1G

General Purpose Transistors NPN Silicon
11 LRC

L2SC2412KRMT3G

General Purpose Transistors NPN Silicon
16 LRC

L2SC2412KSLT1

General Purpose Transistors NPN Silicon
12 LRC