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![]() 乐山无线电公司, LTD 。 通用晶体管 NPN硅 • 我们声明该产品的材料 订购信息 设备 记号 航运 符合RoHS要求。 L2SC2412KQMT1G 系列 3000磁带&卷轴 10000带&卷轴 3000磁带&卷轴 10000带&卷轴 3000磁带&卷轴 10000带&卷轴 L2SC2412KQMT1G L2SC2412KQMT3G L2SC2412KRMT1G L2SC2412KRMT3G L2SC2412KSMT1G L2SC2412KSMT3G 最大额定值 BQ BQ BR BR 摹1F 摹1F SC-74 6 等级 集电极 - 发射极电压 集电极 - 基极电压 发射极 - 基极电压 连续集电极电流 - 集电极耗散功率 结温 储存温度 符号 V 首席执行官 V CBO V EBO 5 B 4 E 价值 50 60 7.0 150 0.2 150 -55 ~+150 单位 V V V MADC W °C °C C I C P C T j T 英镑 E B C 1 2 3 器件标识 L2SC2412KQMT1G = BQ L2SC2412KRMT1G = BR L2SC2412KSMT1G = G1F 电气特性 (T A = 25 ° C除非另有说明。 ) 特征 集电极 - 发射极击穿电压 (I C = 1 mA)的 发射极 - 基极击穿电压 (I E = 50 µA) 集电极 - 基极击穿电压 (I C = 50 µA) 收藏家Cuto FF电流 (V CB = 60 V) 发射Cuto FF电流 (V EB = 7 V) 集电极 - 发射极饱和电压 (I C / I B = 50毫安/ 5米A) 直流电流传输比 (V CE = 6 V,I C = 1毫安) 跃迁频率 (V CE = 12 V,I E = - 2毫安, F = 30MHz的) 输出电容 (V CB = 12 V,I E = 0A , F = 1MHz的) 符号 V V V ( BR ) CEO 民 50 7 60 — — — 120 — — 典型值 — — — — — — –– 180 2.0 最大 — — — 0.1 0.1 0.4 560 –– 3.5 单位 V V V µA µA V –– 兆赫 pF ( BR ) EBO ( BR ) CBO I CBO I EBO V CE ( SAT ) h FE f T C ob h FE 值被分类如下: 的hFE * Q 120~270 R 180~390 S 270~560 Rev.O 1/4
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