乐山无线电公司， LTD 。

通用晶体管

NPN硅

•

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订购信息

设备

记号

航运

符合RoHS要求。

L2SC2412KQMT1G

系列

3000磁带&卷轴

10000带&卷轴

3000磁带&卷轴

10000带&卷轴

3000磁带&卷轴

10000带&卷轴

L2SC2412KQMT1G

L2SC2412KQMT3G

L2SC2412KRMT1G

L2SC2412KRMT3G

L2SC2412KSMT1G

L2SC2412KSMT3G

最大额定值

BQ

BQ

BR

BR

摹1F

摹1F

SC-74

6

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

5

B

4

E

价值

50

60

7.0

150

0.2

150

-55 ~+150

单位

V

V

V

MADC

W

°C

°C

C

I

C

P

C

T

j

T

英镑

E

B

C

1

2

3

器件标识

L2SC2412KQMT1G = BQ L2SC2412KRMT1G = BR L2SC2412KSMT1G = G1F

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明。 ）

特征

集电极 - 发射极击穿电压

(I

C

= 1 mA）的

发射极 - 基极击穿电压

(I

E

= 50

µA)

集电极 - 基极击穿电压

(I

C

= 50

µA)

收藏家Cuto FF电流

(V

CB

= 60 V)

发射Cuto FF电流

(V

EB

= 7 V)

集电极 - 发射极饱和电压

(I

C

/ I

B

= 50毫安/ 5米A）

直流电流传输比

(V

CE

= 6 V，I

C

= 1毫安）

跃迁频率

(V

CE

= 12 V，I

E

= - 2毫安， F = 30MHz的）

输出电容

(V

CB

= 12 V，I

E

= 0A ， F = 1MHz的）

符号

V

V

V

（ BR ） CEO

民

50

7

60

—

—

—

120

—

—

典型值

—

—

—

—

—

—

––

180

2.0

最大

—

—

—

0.1

0.1

0.4

560

––

3.5

单位

V

V

V

µA

µA

V

––

兆赫

pF

（ BR ） EBO

（ BR ） CBO

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

h

FE

f

T

C

ob

h

FE

值被分类如下：

的hFE

*

Q

120~270

R

180~390

S

270~560

Rev.O 1/4