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描述:
AGN21012  AS2843  AN78N18  AT40K10  AT40K10-2AJI  AGN20024  AT40K05-2AJC  AT40K05-2BQC  AS2844  AT40K05-2DQI  
L2SC2412KQMT1G 通用晶体管NPN硅 (General Purpose Transistors NPN Silicon)
.型号:   L2SC2412KQMT1G
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描述: 通用晶体管NPN硅
General Purpose Transistors NPN Silicon
文件大小 :   147 K    
页数 : 4 页
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品牌   LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
购买 :   
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100%
乐山无线电公司, LTD 。
通用晶体管
NPN硅
我们声明该产品的材料
订购信息
设备
记号
航运
符合RoHS要求。
L2SC2412KQMT1G
系列
3000磁带&卷轴
10000带&卷轴
3000磁带&卷轴
10000带&卷轴
3000磁带&卷轴
10000带&卷轴
L2SC2412KQMT1G
L2SC2412KQMT3G
L2SC2412KRMT1G
L2SC2412KRMT3G
L2SC2412KSMT1G
L2SC2412KSMT3G
最大额定值
BQ
BQ
BR
BR
摹1F
摹1F
SC-74
6
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
5
B
4
E
价值
50
60
7.0
150
0.2
150
-55 ~+150
单位
V
V
V
MADC
W
°C
°C
C
I
C
P
C
T
j
T
英镑
E
B
C
1
2
3
器件标识
L2SC2412KQMT1G = BQ L2SC2412KRMT1G = BR L2SC2412KSMT1G = G1F
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 1 mA)的
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 50
µA)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 50
µA)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 60 V)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 7 V)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
/ I
B
= 50毫安/ 5米A)
直流电流传输比
(V
CE
= 6 V,I
C
= 1毫安)
跃迁频率
(V
CE
= 12 V,I
E
= - 2毫安, F = 30MHz的)
输出电容
(V
CB
= 12 V,I
E
= 0A , F = 1MHz的)
符号
V
V
V
( BR ) CEO
50
7
60
120
典型值
––
180
2.0
最大
0.1
0.1
0.4
560
––
3.5
单位
V
V
V
µA
µA
V
––
兆赫
pF
( BR ) EBO
( BR ) CBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
C
ob
h
FE
值被分类如下:
的hFE
*
Q
120~270
R
180~390
S
270~560
Rev.O 1/4
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