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SN65LBC172A  SN65LBC172ADW  SN65LBC172AN  SN65LBC172A16DW  
L2SC5635LT3G 高频晶体管放大器的高增益,低噪声 (High-Frequency Amplifier Transistor High gain,low noise)
.型号:   L2SC5635LT3G
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描述: 高频晶体管放大器的高增益,低噪声
High-Frequency Amplifier Transistor High gain,low noise
文件大小 :   1469 K    
页数 : 3 页
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品牌   LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
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100%
乐山无线电公司, LTD 。
高频放大器
晶体管
L2SC5635LT1G
特点
1.高增益带宽积( Typ.f
T
=8.0GHz)
2.高增益,低噪声
3.可工作在低电压
4.
我们声明该产品符合RoHS要求的材料。
3
1
2
最大额定值
(T
A
= 25
°
C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
价值
15
6
1.5
50
225
125
-55~+125
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
SOT -23
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
器件标识
L2SC5635LT1G=HF1
订购信息
设备
L2SC5635LT1G
L2SC5635LT3G
SOT-23
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
电气特性(T
A
= 25
°
C)
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
插入功率增益
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
COB
S
21
NF
2
分钟。
-
-
50
5.0
-
9.0
-
典型值
-
-
-
8.0
1.0
12.0
1.4
马克斯。
1.0
1.0
250
-
-
-
-
单位
µA
µA
-
GHz的
pF
dB
dB
条件
V
CB
= 10V ,我
E
=0mA
V
EB
= 1 V,I
C
=0mA
V
CE
= 5V ,我
C
=10mA
V
CE
= 5V ,我
E
=10mA
V
CB
= 5V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
V
CE
= 5V ,我
C
= 10A , F = 1GHz的
V
CE
= 5V ,我
C
= 5毫安中,f = 1GHz的
Rev.O 1/3
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