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NCP15XC680  NCP1550_06  NCP1578MNR2G  NCP1562  NCP1400ASN50T1G  NCP1560HDR2G  NCP1562BDR2G  NCP1580DR2G  NCP1595A  NCP1560_06  
L2SD2114KWLT3G 外延平面型硅NPN晶体管高直流电流增益 (Epitaxial planar type NPN silicon transistor High DC current gain)
.型号:   L2SD2114KWLT3G
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描述: 外延平面型硅NPN晶体管高直流电流增益
Epitaxial planar type NPN silicon transistor High DC current gain
文件大小 :   72 K    
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品牌   LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
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100%
乐山无线电公司, LTD 。
外延平面型
NPN硅晶体管
特点
1 )高直流电流增益。
h
FE
= 1200 (典型值)。
2)高的发射极 - 基极电压。
V
EBO
= 12V (最小值)
3 )低V
CE (SAT) 。
V
CE (SAT)
= 0.18V (典型值)。
(I
C
/ I
B
= 500毫安/ 20mA)的
4 )我们声明该产品符合RoHS要求的材料。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电源
耗散
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
范围
25
20
12
0.5
1
0.2
150
−55∼+150
单位
V
V
V
A( DC )
A(脉冲)
W
°C
°C
L2SD2114KVLT1G
系列
3
1
2
SOT- 23 ( TO- 236AB )
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
P
C
Tj
TSTG
单脉冲Pw = 100毫秒
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
输出导通电阻
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
COB
罗恩
分钟。
25
20
12
820
典型值。
0.18
350
8.0
0.8
马克斯。
0.5
0.5
0.4
2700
单位
V
V
V
µA
µA
V
兆赫
pF
pF
I
C
=10µA
I
C
=1mA
I
E
=10µA
V
CB
=20V
V
EB
=10V
条件
I
C
/I
B
=500mA/20mA
V
CE
=3V,
I
C
=10mA
V
CE
=10V,
I
E
=−50mA,
f=100MHz
V
CB
=10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
I
B
=1mA,
VI = 100mV的( RMS)中,f = 1kHz时
利用脉冲电流测量
h
FE
值分类,设备标志和订购信息
设备
L2SD2114KVLT1G
L2SD2114KVLT3G
L2SD2114KWLT1G
L2SD2114KWLT3G
h
FE
820~1800
820~1800
1200~2700
1200~2700
记号
BV
BV
BW
BW
航运
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
Rev.O 1/4
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