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EA1212S-1W  EA1215S-1W  
L2SK3019LT1G 硅N沟道MOSFET开关速度快 (Silicon N-Channel MOSFET Fast switching speed)
.型号:   L2SK3019LT1G
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描述: 硅N沟道MOSFET开关速度快
Silicon N-Channel MOSFET Fast switching speed
文件大小 :   665 K    
页数 : 4 页
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品牌   LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
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100%
乐山无线电公司, LTD 。
硅N沟道MOSFET
L2SK3019LT1G
应用
Interfacing,switching(30V,100mA)
1
2
3
特点
低导通电阻
开关速度快
低电压驱动( 2.5V ) ,使这个理想用于便携式设备
驱动电路可以是简单的
并行使用容易
ESD>500V
我们声明该产品的材料
符合RoHS要求。
SOT- 23
等效电路
订购信息
设备
L2SK3019LT1G
L2SK3019LT3G
记号
KN
KN
航运
3000 /磁带&卷轴
保护
二极管
来源
万/磁带&卷轴
o
公关
tection二极管包括栅极之间
和源极端,保护二极管
防静电,当产品在使用中。
使用一个保护电路,当固定电压
被超过。
最大额定值和热特性
(T
A
= 25
o
C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1)
2)
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
± 20
± 100
± 400
225
-55到150
单位
V
mA
mW
o
总功耗
工作结存储温度范围
1)
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
2)
与每个销装在推荐的土地。
C
冯.A 1/4
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