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HP7501-T28  HP8657A  HP7501-A36  HP8656  HP7501  HP8657D  HP8656B  HP8657  HP8657B  HPA00002DTR  
L8050HPLT3G 通用晶体管NPN硅外延平面型。 (General Purpose Transistors NPN Silicon Epitaxial planar type.)
.型号:   L8050HPLT3G
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描述: 通用晶体管NPN硅外延平面型。
General Purpose Transistors NPN Silicon Epitaxial planar type.
文件大小 :   81 K    
页数 : 3 页
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品牌   LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
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100%
乐山无线电公司, LTD 。
通用晶体管
NPN硅
特征
高电流容量的紧凑型封装。
I
C
=1.5 A.
外延平面型。
NPN补充: L8050H
无铅封装。
L8050HQLTIG
系列
3
1
2
SOT–23
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
设备标记和订购信息
设备
L8050HPLT1G
L8050HPLT3G
L8050HQLT1G
L8050HQLT3G
L8050HRLT1G
L8050HRLT3G
L8050HSLT1G
L8050HSLT3G
记号
1HA
1HA
1HC
1HC
1HE
1HE
1HG
1HG
航运
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
最大
25
40
5
1500
单位
V
V
V
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局, ( 1 )
T
A
=25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, ( 2 ) TA = 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
R
θ
J A
T
j,
T
S
t
g
R
θ
J A
P
D
300
2.4
417
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
符号
P
D
最大
单位
225
1.8
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
Rev.A的1/3
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