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乐山无线电公司, LTD 。
通用晶体管
NPN硅
特征
高电流容量的紧凑型封装。
I
C
= 0.8A.
外延平面型。
NPN补充: L8050
无铅封装。
L8050PLT1G
系列
3
1
2
SOT–23
集热器
3
1
设备标记和订购信息
设备
L8050PLT1G
L8050PLT3G
L8050QLT1G
L8050QLT3G
L8050RLT1G
L8050RLT3G
L8050SLT1G
L8050SLT3G
记号
80P
80P
1YC
1YC
1YE
1YE
80S
80S
航运
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
BASE
2
辐射源
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流continuoun
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
最大
25
40
5
800
单位
V
V
V
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局, ( 1 )
T
A
=25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, ( 2 ) TA = 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
R
θ
J A
T
j,
T
S
t
g
R
θ
J A
P
D
300
2.4
417
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
符号
P
D
最大
单位
225
1.8
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
Rev.O 1/4
乐山无线电公司, LTD 。
L8050PLT1G
系列
电气特性(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
V
( BR ) CEO
(I
C
=1.0mA)
发射极 - 基极击穿电压
V
( BR ) EBO
(I
E
=100µΑ)
集电极 - 基极击穿电压
V
( BR ) CBO
(I
C
=100µΑ)
集电极截止电流(V
CB
=35V)
发射极截止电流(V
EB
=4V)
I
CBO
I
EBO
150
150
nA
nA
40
V
5
V
25
V
符号
典型值
最大
单位
电气特性(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
charateristic
直流电流增益
I
C
=100mA,V
CE
=1V
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 800毫安,我
B
=80mA)
V
CE ( SAT )
-
-
0.5
V
h
FE
100
-
600
符号
典型值
最大
单位
注意:
*
h
˚F ê
P
100~200
Q
150~300
R
200-400
S
300-600
Rev.O 2/4
乐山无线电公司, LTD 。
L8050PLT1G
系列
图1 - 电流增益&集电极电流
1000
1
图2 - 饱和电压&集电极电流
100
饱和电压( V)
V
CE
=1V
的hFE
0.1
10
V
CE ( SAT )
@ I
C
=10I
B
1
0.001
0.01
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流(毫安)
集电极电流(毫安)
图3 - 在电压&集电极电流
1
1000
图4 - 截止频率&集电极电流
V
CE
=10V
V
BE(上)
@ V
CE
=1V
截止频率(MHz )
在电压(V )
100
10
0.1
0.01
0.1
1
10
100
1000
1
1
10
100
1000
集电极电流(毫安)
集电极电流(毫安)
图5 - 电容&反向偏置电压
100
电容(pF)
10
COB
1
0.1
1
10
100
反向偏置电压(V )
Rev.O 3/4
乐山无线电公司, LTD 。
L8050PLT1G
系列
SOT-23
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
A
L
3
1
V
G
2
B·S
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
K
J
L
S
V
0.1102
0.0472
0.0350
0.0150
0.0701
0.0005
0.0034
0.0140
0.0350
0.0830
0.0177
Y14.5M,1982
2.控制尺寸:英寸。
英寸
最大
0.1197
0.0551
0.0440
0.0200
0.0807
0.0040
0.0070
0.0285
0.0401
0.1039
0.0236
MILLIMETERS
2.80
1.20
0.89
0.37
1.78
0.013
0.085
0.35
0.89
2.10
0.45
最大
3.04
1.40
1.11
0.50
2.04
0.100
0.177
0.69
1.02
2.64
0.60
C
D
H
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
Rev.O 4/4
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