电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
CDBHM2100L-HF  CDBHM240L-G  CDBHD280-G  CDBD680-G  CDBD8100-HF  CDBHM1100L-G  CDBD2050-G  CDBHM140L-G  CDBD6100-G  CDBFN150-G  
L8050SLT1G 通用晶体管NPN硅外延平面型。 (General Purpose Transistors NPN Silicon Epitaxial planar type.)
.型号:   L8050SLT1G
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: 通用晶体管NPN硅外延平面型。
General Purpose Transistors NPN Silicon Epitaxial planar type.
文件大小 :   71 K    
页数 : 4 页
Logo:   
品牌   LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
购买 :   
  浏览型号L8050SLT1G的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号L8050SLT1G的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号L8050SLT1G的Datasheet PDF文件第4页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
乐山无线电公司, LTD 。
通用晶体管
NPN硅
特征
高电流容量的紧凑型封装。
I
C
= 0.8A.
外延平面型。
NPN补充: L8050
无铅封装。
L8050PLT1G
系列
3
1
2
SOT–23
集热器
3
1
设备标记和订购信息
设备
L8050PLT1G
L8050PLT3G
L8050QLT1G
L8050QLT3G
L8050RLT1G
L8050RLT3G
L8050SLT1G
L8050SLT3G
记号
80P
80P
1YC
1YC
1YE
1YE
80S
80S
航运
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
BASE
2
辐射源
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流continuoun
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
最大
25
40
5
800
单位
V
V
V
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局, ( 1 )
T
A
=25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, ( 2 ) TA = 25°C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
R
θ
J A
T
j,
T
S
t
g
R
θ
J A
P
D
300
2.4
417
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
符号
P
D
最大
单位
225
1.8
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
Rev.O 1/4
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7