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乐山无线电公司, LTD 。
通用晶体管
PNP硅
特征
我们声明该产品符合RoHS要求的材料。
3
L8550PLT1G
系列
1
2
设备标记和订购信息
设备
L8550PLT1G
L8550PLT3G
L8550QLT1G
L8550QLT3G
L8550RLT1G
L8550RLT3G
L8550SLT1G
L8550SLT3G
记号
85P
85P
1YD
1YD
1YF
1YF
1YH
1YH
航运
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
2
辐射源
1
BASE
集热器
3
SOT- 23
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流continuoun
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
-25
-40
-5
-800
单位
V
V
V
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
(1)
T
A
= 25 °C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板,
(2)
T
A
= 25 °C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
符号
P
D
最大
225
R
θJA
P
D
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
θJA
T
J
, T
英镑
Rev.O 1/4
乐山无线电公司, LTD 。
L8550PLT1G
系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
典型值
最大
单位
OFFCHARACTERISTICS
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
=-1.0mA)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= -100
µA)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= -100
µA)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -35 V)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= -4V)
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
基本特征
特征
直流电流增益
(I
C
= -100mA ,V
CE
=-1V)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= -800mA , I = -80mA )
B
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
V
( BR ) CBO
I
CBO
-25
-5
-40
-150
-150
V
V
V
nA
nA
I
EBO
符号
H
FE
V
CE (S )
100
典型值
最大
600
-0.5
单位
V
注意:
*
h
FE
P
100~200
Q
150~300
R
200~400
S
300~600
Rev.O 2/4
乐山无线电公司, LTD 。
L8550PLT1G
系列
Rev.O 3/4
乐山无线电公司, LTD 。
L8550PLT1G
系列
SOT-23
注意事项:
A
L
3
1
V
G
2
B·S
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M,1982
2.控制尺寸:英寸。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
J
英寸
最大
0.1102
0.1197
0.0472
0.0350
0.0150
0.0701
0.0005
0.0034
0.0140
0.0350
0.0830
0.0177
0.0551
0.0440
0.0200
0.0807
0.0040
0.0070
0.0285
0.0401
0.1039
0.0236
MILLIMETERS
最大
2.80
3.04
1.20
0.89
0.37
1.78
0.013
0.085
0.35
0.89
2.10
0.45
1.40
1.11
0.50
2.04
0.100
0.177
0.69
1.02
2.64
0.60
C
D
H
K
K
L
S
V
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
Rev.O 4/4
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