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5962-8959813MYA  5962-8959810MTX  5962-8959815M9X  5962-8959815MZX  5962-8959813MTX  5962-8959816MUX  5962-8959816MTC  5962-8959816MMA  5962-8959816MUA  5962-8959814M9X  
L8550SLT1G 通用晶体管PNP硅 (General Purpose Transistors PNP Silicon)
.型号:   L8550SLT1G
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描述: 通用晶体管PNP硅
General Purpose Transistors PNP Silicon
文件大小 :   206 K    
页数 : 4 页
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品牌   LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
购买 :   
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100%
乐山无线电公司, LTD 。
通用晶体管
PNP硅
特征
我们声明该产品符合RoHS要求的材料。
3
L8550PLT1G
系列
1
2
设备标记和订购信息
设备
L8550PLT1G
L8550PLT3G
L8550QLT1G
L8550QLT3G
L8550RLT1G
L8550RLT3G
L8550SLT1G
L8550SLT3G
记号
85P
85P
1YD
1YD
1YF
1YF
1YH
1YH
航运
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
2
辐射源
1
BASE
集热器
3
SOT- 23
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流continuoun
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
-25
-40
-5
-800
单位
V
V
V
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
(1)
T
A
= 25 °C
减免上述25℃
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板,
(2)
T
A
= 25 °C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
符号
P
D
最大
225
R
θJA
P
D
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
θJA
T
J
, T
英镑
Rev.O 1/4
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