MAX34334CSE 第1页-第2页 PDF中文翻译页面详情预览
乐山无线电公司, LTD 。
通用晶体管
PNP硅
特征
我们声明该产品符合RoHS要求的材料。
L9012PLT1G
系列
3
设备标记和订购信息
设备
L9012PLT1G
L9012PLT3G
L9012QLT1G
L9012QLT3G
L9012RLT1G
L9012RLT3G
L9012SLT1G
L9012SLT3G
记号
12P
12P
12Q
12Q
12R
12R
12S
12S
航运
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
1
BASE
3
集热器
1
2
SOT- 23 ( TO- 236AB )
2
辐射源
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流continuoun
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
IC
价值
-20
-40
-5
-500
单位
V
V
V
MADC
热CHARATEERISTICS
特征
器件总功耗FR - 5局, ( 1 )
T
A
=25 C
减免上述25
C
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, (2)T
A
=25 C
减免上述25
o
C
热阻,结到环境
结温和存储温度
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
o
符号
P
D
最大
单位
o
225
o
mW
毫瓦/
o
C
o
1.8
R
θ
JA
P
D
300
2.4
R
θJA
TJ , TSTG
417
-55到+150
556
C
/
W
mW
毫瓦/
o
C
o
C
/
W
o
C
电气特性(T
A
=25
o
C除非另有说明)
特征
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
V
( BR ) CBO
I
CBO
I
EBO
-20
-5
-40
-
-
典型值
-
-
-
最大
-
-
-
-150
-150
单位
V
V
V
nA
nA
Rev.O 1/2
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
=-1.0mA)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
=-100
µ
A)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
=-100
µ
A)
集电极截止电流(V
CB
=-35V)
发射极截止电流(V
BE
=-4V)
乐山无线电公司, LTD 。
L9012PLT1G系列
基本特征
直流电流增益
(I
C
= -50mA ,V
CE
=-1V)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
=-500mA,I
B
=-50mA)
H
fe
V
CE (S )
100
-
-
-
600
-0.6
V
注意:
*
H
FE
P
100~200
Q
R
S
300~600
150~300 200~400
SOT- 23 ( TO- 236AB )
A
L
3
注意事项:
1.控制尺寸:毫米
B·S
1
2
2.引线厚度给定每L / F的绘画与
焊料镀层。
英寸
最大
0.1102 0.1197
0.0472 0.0551
0.0350 0.0440
0.0150 0.0200
0.0701 0.0807
0.0005 0.0040
0.0034 0.0070
0.0180 0.0236
0.0350 0.0401
0.0830 0.0984
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.45
0.60
0.89
1.02
2.10
2.50
0.45
0.60
V
G
C
D
H
K
J
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
PIN 1 。
BASE
2.
辐射源
3.
集热器
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
Rev.O 2/2
相关元器件产品Datasheet PDF文档

L9012SLT1G

General Purpose Transistors PNP Silicon
17 LRC

L9012SLT3G

General Purpose Transistors PNP Silicon
14 LRC

L9013

Line Filament Lamps
暂无信息
111 GILWAY

L9013LT1

General Purpose Transistors NPN Silicon
69 LRC

L9013LT1

General Purpose Transistors NPN Silicon
38 LRC

L9013PLT1G

General Purpose Transistors NPN Silicon
55 LRC