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L9013PLT3G 通用晶体管NPN硅 (General Purpose Transistors NPN Silicon)
.型号:   L9013PLT3G
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描述: 通用晶体管NPN硅
General Purpose Transistors NPN Silicon
文件大小 :   130 K    
页数 : 2 页
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品牌   LRC [ LESHAN RADIO COMPANY ]
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100%
乐山无线电公司, LTD 。
通用晶体管
NPN硅
特征
我们声明该产品符合RoHS要求的材料。
L9013PLT1G
系列
3
设备标记和订购信息
设备
L9013PLT1G
L9013PLT3G
L9013QLT1G
L9013QLT3G
L9013RLT1G
L9013RLT3G
L9013SLT1G
L9013SLT3G
记号
13P
13P
13Q
13Q
13R
13R
13S
13S
航运
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
1
BASE
1
2
SOT- 23 ( TO- 236AB )
3
集热器
2
辐射源
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流continuoun
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
20
40
5
500
符号
P
D
225
o
单位
V
V
V
MADC
最大
单位
mW
毫瓦/
o
C
o
热CHARATEERISTICS
特征
器件总功耗FR - 5局, ( 1 )
T
A
=25 C
减免上述25
C
热阻,结到环境
器件总功耗
氧化铝基板, (2)T
A
=25
o
C
减免上述25℃
热阻,结到环境
结温和存储温度
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
o
o
1.8
R
θ
JA
556
C
/
W
P
D
300
2.4
R
θJA
mW
毫瓦/
o
C
o
417
-55到+150
C
/
W
o
TJ , TSTG
C
电气特性(T
A
=25
o
C除非另有说明)
特征
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
V
( BR ) CBO
I
CBO
I
EBO
20
5
40
-
-
典型值
-
-
-
最大
-
-
-
150
150
单位
V
V
V
nA
nA
Rev.O 1/2
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
=1.0mA)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
=100µA)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
=100µA)
集电极截止电流(V
CB
=35V)
发射极截止电流(V
EB
=4V)
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