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AG318 砷化镓和硅PIN二极管的高速微波开关的比较 (Comparison of Gallium Arsenide and Silicon PIN Diodes for High Speed Microwave Switches)
.型号:   AG318
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描述: 砷化镓和硅PIN二极管的高速微波开关的比较
Comparison of Gallium Arsenide and Silicon PIN Diodes for High Speed Microwave Switches
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100%
AG318
砷化镓和硅PIN二极管的比较
高速微波开关
介绍
硅PIN二极管一直是最重要的半
用于微波炉的控制用导体部件
多年信号。他们主要利用已
用于开关或可变衰减元件来控制
R.F.功率通过毫米波从H.F.频率
频率。
随着系统的要求也越来越放置empha-
估确定在极其快速的切换,对双极性流动性
硅材料放置在限制开关
速度为硅PIN二极管。这些限制是压力
ently中的“少数”纳秒的存在范围
“快”硅PIN二极管。对PIN的主要限制
切换速度拆除费或载体
用于产生在正向偏置的低阻抗。该
电荷去除由载体迁移率和有限的
需要支持一个温和的I层的厚度
击穿电压(即, 30-100伏)。
砷化镓拥有硅几大优势
做出类似尺寸的快速PIN二极管时。
砷化镓也有其限制的几大缺点
设备的类型,可以制得。本文将解散
咒骂这些特性,因为它们影响GaAs组成的类型
PIN二极管可以被内置和GaAs PIN的用法
二极管快速,温和的电源开关。
修订版V2
劣势
砷化镓的一些缺点,作为PIN材料二
颂如下:
1.材料的寿命和可用载流子扩散
砷化镓的长度是50至100倍以下
比硅。这严重地限制了有用的I-
砷化镓PIN二极管及其result-层厚度
荷兰国际集团的击穿电压。的最大有用
砷化镓PIN二极管的击穿电压只有约
150-250伏。有用的硅PIN二极管可
建有击穿电压高达4000-5000伏。
2.
GaAs组成的热阻大约
三倍硅。这限制了功率
可以用的GaAs PIN二极管消散。
下面的部分将讨论这些话题更
细节。
A. PIN二极管特性
PIN二极管的电特性主要是
由I -层的宽度和大小来确定。图1
示出的PIN二极管的程式化图。相关
需要确定的电容式,电阻
同时根据PIN二极管的tance和击穿电压
反向和正向偏压(1)所示。
优势
砷化镓的优势,作为半导体
是物质的PIN二极管如下:
1.砷化镓的带隙比大
的硅。这将导致两个主要优点:
(一)击穿电压为相同的固有
层的厚度是砷化镓PIN二极管较大
比对于硅PIN二极管。这使
使用较薄的, “更快”有PIN二极管
相同的反向电压。
(二)的GaAs的带隙更高的可允许有较高
阻抗(即,更小的小电容
正向电压) 。这样的GaAs PIN二极管
直接驱动,从缓冲TTL逻辑
城门。 (大多数TTL逻辑电路有一个小的重
在零状态sidual电压。这通常是
0.2-0.3伏)。这种积极的“前进”的偏见
电压将“打开”最硅PIN二极管和
减少其“关”的阻抗。
2.
砷化镓具有直接的少数载流子跃迁recombina-
化。这通常限制了“终身”,以低于10
纳秒。在快速重有限的“生命周期”的结果
MOVAL的收费。
图1. PIN二极管
1
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