MSP430FR2673TRHBR
具有 16 个 I/O(64 个传感器)、16KB FRAM、4KB SRAM、27 个 I/O、12 位 ADC 的电容式触控 MCU | RHB | 32 | -40 to 105
静态存储器 传感器
TI
RS6N120BH (新产品)
RS6N120BH is a power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching. .singlenchmosmovie-wrap { max-width: 33%;} .singlenchmosmovie { position: relative; width:100%; height:0; padding-top: 56.25%; }.singlenchmosmovie-wrap iframe { position: absolute; top: 0; left: 0; width: 100%; height: 100%;}@media screen and (max-width: 769px) {.singlenchmosmovie-wrap { max-width: 100%; } }
暂无信息
ROHM
BD5333G-2M
罗姆的延迟时间自由设置型CMOS电压检测器IC系列是内置了采用CMOS工艺的高精度、低消耗电流延迟电路的CMOS RESET IC系列。可通过外接电容器设定延迟时间。为保证客户可根据应用进行选择,备有Nch漏极开路输出(BD52xx-2M)系列和CMOS输出(BD53xx-2M)系列产品。备有检测电压为0.9V~5.0V的0.1V阶跃的产品阵容。在-40°C到105°C的整个工作温度范围内,将延迟时间精度控制在±30%内。
电容器
ROHM
KYOCERA AVX
AMPHENOL
SAMTEC
WALSIN
VISHAY
MSYSTEM
GLENAIR
ITT
MICROSEMI
YAGEO
ECLIPTEK
ABRACON
MOLEX
VICOR
KEMET
MTRONPTI
TI
PANASONIC
CTS
SCHURTER
KNOWLES
MURATA
TE
TOREX
SILICON
BOURNS
GOLLEDGE
STMICROELECTRONICS
RCD
BEL
NXP
MICROCHIP
TDK
KOA
INFINEON
FOXCONN
EUROQUARTZ
MAXIM
LITTELFUSE
VCC
RENESAS
CDE
IDT
AVAGO
HONEYWELL
ONSEMI
FH
NICHICON
APITECH
ROHM
EPCOS
AGILENT
GRAYHILL
ADI
Carling Technologies
RICOH