MIX3805 [MAXIM]
8.5W 立体声带防破音F 类音频放大器;
| 型号： | MIX3805 |
| 厂家： | 
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS |
| 描述： | 8.5W 立体声带防破音F 类音频放大器 音频放大器 |
| 文件： | 总9页 (文件大小：522K) |
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矽诺威一级代理 龙创威电子 小柯13652437521
MIX3805
8.5W 立体声带防破音F 类音频放大器
描述
特性
MIX3805是一款高效率、无滤波器8.5W立体声F类音
输出功率：
－8.5W (VDD=8.0V, RL =4 Ω，THD+N=10%)
频放大器。
－7W (VDD=7.2V, RL =4 Ω，THD+N=10%)
工作电压 : 3.0V to 8.0V
防破音功能
MIX3805的差分输入架构和极高的PSRR有效地提高
了MIX3805对RF噪声的抑制能力。防破音功能解决了
不同音源输出幅度不一致的问题，同时带来不失真的
完美音乐享受。无需滤波器的PWM调制结构及增益内
置方式减少了外部元件、PCB面积和系统成本,并简化
了设计。高达90%的效率，快速启动时间和纤小的封
装尺寸使得MIX3805成为蓝牙音箱和其他便携式音频
产品的最佳选择。
低失真和低噪声
开机POP声抑制功能
关机电流小于10uA
过热保护功能
应用
MIX3805具有关断功能，极大的延长系统的待机时间。
过热保护功能增强系统的可靠性。POP声抑制功能改
善了系统的听觉感受，同时简化系统调试。
背包音箱 / 对箱
插卡音箱 / 蓝牙
MIX3805提供ESOP16封装
典型应用电路图
引脚排列
Vd
10uF X
LOUTP
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
LOUTN
PGND
MODE
BYP
10,1
D
4
6
RI
RINN
14
LINP
LINN
BYP
LOUTP
16
11
PVDD
PGND
LOUTN
RPUTP
N
MIX3805
8
1
SD
OFF
MODE
RINP
RINN
SD
ROUTP
PVDD
2
5
BYP
BYP
9
ROUTN
1uF
1uF
PGND
ROUTN
12,15
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MIX3805
8.5W 立体声带防破音F 类音频放大器
功能框图
VDD
OUTP
OUTN
+IN
Input
Buffer
Driver
-IN
Over Thermal
Protection
Over Current
Protection
SHDN
Control
SD
RF Noise
Suppression
POP/CLICK
Suppression
GND
管脚描述
管脚
符号
MODE
BYP
描述
I/O
1
2
3
4
5
6
7
I 模式切换（，低电平F类）
I/O 旁路管脚
LINP
LINN
BYP
I 左通道音频正输
I 左通道音频负输入端
I/旁路管脚
I 右通道音频正输入端
I 右通道音频负输入端
系统关断控制（小于1/5PVDD芯片关闭，2/5-3/5PVDD
之间芯片防破音，大于 4/5 PVDD 芯片关闭防破音，正常
8
I
放大）
9
ROUTN
PVDD
O 右通道音频负输出端
功率电源
1
11
12
13
14
15
16
ROUTP
PGND
PVDD
O 右通道音频正输出端
功率地线
功率电源
LOUTP
PGND
LOUTN
O 左通道音频正输出端
功率地线
O 左通道音频负输出端
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8.5W 立体声带防破音F 类音频放大器
订货信息
料号
封装
表面印字
MIX3805
XXXXXXX
包装
MIX3805
ESOP16
2500 颗/卷
绝对最大额定值
PVDD
VI
供电电压
-0.3V to 8.2V
输入电压
工作温度
结温
-0.3V to VDD+0.3V
-40°C to 85°C
-40°C to 125°C
-65°C to 150°C
300°C
TA
TJ
TSTG
TSLD
储存温度
焊接温度
推荐额定值
MIN
MAX
UNIT
PVDD
供电电压
PDD
3.0
8.0
V
热阻参数
Parameter
Symbol
θJA
Package
MAX
UNIT
热阻(Junction to Ambient)
热阻(Junction to Case)
ESOP16
ESOP16
90
11
°C/W
°C/W
θJc
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8.5W 立体声带防破音F 类音频放大器
D MODE Electrical Characteristics
(VDD =7.2V, Gain=19.5dB, RL =4Ω, T =25°C, unless otherwise noted.)
Symbol
Parameter
Test Conditions
THD+N=10%,f=1KHZ,RL=4 Ω
THD+N=1%,f=1KHZ,RL=4 Ω
MIN TYP MAX UNIT
VIN
Supply Voltage
3.0
-
8.0
V
VDD=8.0V
VDD=7.2V
VDD=5.0V
VDD=8.0V
VDD=7.2V
VDD=5.0V
8.5
7
W
3.2
6.5
5.2
1.8
0.05
0.05
0.
19.5
PO
Output Power
W
VDD=8.0V, PO=1W, RL=4 Ω
Total Harmonic Distortion
Plus Noise
THD+N
VDD=7.2V, PO=1W, RL=4 Ω
VDD=5.0V, PO=1W, RL=4 Ω
f=1KHz
GV
Gain
Ri = 47K
f=1KH
dB
dB
Power Supply Ripple
Rejection
PSRR
VDD=5V±200mVp-p
60
VDD=8.0V, Vo rms=5
SNR
Vn
Signal-to-Noise Ratio
Output Noise
Hz
-92
dB
GV=20dB
hting
A-weighting
f=1KHz
100
150
-90
83
VDD=5.0V,Input floating with
μV
CIN=0.1μF
Dyn
Dynamic Range
Efficiency
VD.0V,TH=1%
dB
%
η
VD=7.2VRL=4 Ω, =2.8W
VDD8.0V
f=1KHz
25
IQ
Quiesce
No Load
VSD=0V
mA
VDD=5.0V
10
ISD
Shutd
Offset
Oscitor Frcy
Sp Time
－
VDD=3V to 8.0V
VIN=0Vrms, VDD=5V
10
μA
mV
khz
mS
Vos
osc
T
25
380
300
160
40
Bypass capacitor =1uF
TP
OTH
No Load, Junction Temperature
VDD=5.0V
°C
－
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8.5W 立体声带防破音F 类音频放大器
D MODE Typical Operating Characteristics
(VDD =7.2V, Gain=20dB, RL =4Ω, T =25°C, unless otherwise noted.)
THD+N vs Output Power
Noise Floor
20
10
5
RL=4ohm Gain=20dB
VDD= 3.6V , 5V , 7.2V, 8.0V
-40
-60
RL=4ohm Gain=20dB
2
1
d
B
V
0.5
-80
%
0.2
0.1
-100
0.05
0.02
-120
0.007
10 20
50 100 200 500 1k 2k
Hz
5k 10k 20k
10m 20m
50m 100m
500m
1
2
5
10
W
THD+N VS FREQUENCY
Frequency Response
+22
5
RL=4ohm Gain=20dB
Vo=1Vp‐p
+21
+20
+19
+18
+17
+16
+15
2
1
0.5
d
B
g
%
0.2
0.1
A
0.05
RL=4ohm Gain=20.5dB
Cin=0.1uF Rin=47K
0.02
0.01
+14
20
50 100 200 500 1k 2k
Hz
5k
20k
20
50 100 200 500 1k 2k
Hz
5k
20k
HuDun Demo
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8.5W 立体声带防破音F 类音频放大器
F MODE Electrical Characteristics
(VDD =7.2V, Gain=20dB, RL =4Ω, T =25°C, unless otherwise noted.)
Symbol
Parameter
Test Conditions
THD+N=10%,f=1KHZ,RL=4 Ω
THD+N=1%,f=1KHZ,RL=4 Ω
MIN TYP MAX UNIT
VIN
Supply Voltage
3.0
-
8.0
V
VDD=8.0V
VDD=7.2V
VDD=5.0V
VDD=8.0V
VDD=7.2V
VDD=5.0V
7.6
6.3
3.2
5.5
5.0
2.5
0.3
0.3
0
19.5
W
PO
Output Power
W
VDD=8.0V, PO=1W, RL=4 Ω
Total Harmonic Distortion
Plus Noise
THD+N
VDD=7.2V, PO=1W, RL=4 Ω
VDD=5V, PO=1W, RL=4 Ω
f=1KHz
GV
Gain
Ri = 47K
f=1KH
dB
dB
Power Supply Ripple
Rejection
PSRR
VDD=5V±200mVp-p
60
V
DD=8.0V, Vo rms=5.
SNR
Signal-to-Noise Ratio
Hz
-92
dB
G
V=20dB
hting
A-weighting
f=1KHz
100
150
-90
25
V
DD=5.0V,Input floating with
Vn
Dyn
IQ
Output Noise
Dynamic Range
Quiescent Current
μV
dB
CIN=0.1μF
VD.0V,TH=1%
D=8.0V
No Load
VSD=0V
mA
VDD5.0V
VDD=3V to 8V
10
ISD
Vos
Tst
Shut
10
μA
mV
mS
Off
VIN=0V, VDD=5V
Bypass capacitor =1uF
25
300
160
40
Setu
TP
OT
－
－
No Load, Junction Temperature
VDD=5.0V
°C
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8.5W 立体声带防破音F 类音频放大器
F MODE Typical Operating Characteristics
(VDD =7.2V, Gain=20dB, RL =4Ω, T =25°C, unless otherwise noted.)
THD+N vs Output Power
Noise Floor
20
RL=4ohm Gain=20dB
-40
10
5
RL=4ohm Gain=20dB
VDD= 3.6V , 5V , 7.2V, 8.0V
-60
-80
2
1
d
B
V
%
0.5
-100
0.2
0.1
-120
1m 2m
10m
100m 500m 1
2
5 10
10 20
50 100 200 500 1k 2k
Hz
5k 10k 20k
W
THD+N VS FREQUENCY
Frequency Response
5
+21
RL=4ohm Gain=20dB
+20
+19
+18
+17
+16
+15
Vo=1Vp‐p
2
1
d
B
g
0.5
%
A
0.2
0.1
RL=4ohm Gain=20dB
Cin=0.1uF Rin=47K
0.04
+14
20
50 100 200 500 1k 2k
Hz
5k
20k
20
50 100 200
500 1k 2k
Hz
5k
20k
HuDun Demo
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8.5W 立体声带防破音F 类音频放大器
应用信息
输入电阻(Ri)
SHDN管脚和防破音模式
MIX3805的增益由音量调节控制的输入电阻(RI)和反
SHDN管脚控制芯片的启动，同时控制防破音模式的
开启和关闭。当SHDN管脚电压在1/5VDD以下时，芯
片关断，功耗小于10uA；当SHDN管脚电压在2/5VDD
至3/5VDD之间，芯片工作在防破音状态；当SHDN管
脚电压大于4/5VDD时，芯片防破音功能关闭，处于正
馈电阻RF)控制。有如下的增益计算公式：
ꢀꢁ
Av = 2 X
(ꢃꢃ)
ꢀꢂ
其中， Re为芯片外部的可调节输入电阻；反馈电阻
Rf为220K（反馈电阻为内部固定，不可外部调节）。 常放大状态，输出最大功率。
例如，外部输入电阻为47K，则放大倍数为：
Av = 2X220 / (47) ＝ 9.4倍 ＝ 19.4 dB
过温保护
输入电容 (Ci )
MIX3805 带有过温保护电路以防止内温度超过
180℃时器件损坏。在不同器件间，这值有25℃的
差异。当内部电路超过保护温度时，器件进入
关断状态出被截温度下降 30℃后，器件重
新
输入电容与输入电阻构成一个高通滤波器，其截止频
率可由下试得出：
1
f
c =ꢄ
ꢅ2πRiCiꢆ
Ci的值不仅会影响到电路的低频响应，而且也会影响
电路启动和关断时所产生的POP声，输入电容越大，
则到达其稳定工作点所需的电荷越多，在同等条下，
小的输入电容所产生的POP声比较小。
模式选择功能
MIX3805具有两工作为高效率的D类工作
模，另一种为无F干扰工作模式。通过MODE
管脚择其的一组灵活切换。当MODE管脚为逻
辑时MIX305作在D类模式。当MODE管脚为逻
辑低时，IX3805工作在F类模式。
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MIX3805
8.5W 立体声带防破音F 类音频放大器
ESOP-16
Millimeter
SYMBOL
MIN
-
NOM
MAX
1.75
0.15
1.50
0.70
0.48
0
10.10
6.20
4.10
A
A1
A2
A3
b
-
0.05
1.30
0.60
0.39
0.38
0.21
0.1
9.7
5.80
3.70
-
1.40
0.65
-
b1
c
0.41
-
c1
D
0.2
9.90
E
6.00
1
e
3.90
1.27BSC
-
h
0.25
0.50
0.50
0.80
L
-
L1
θ
1.05BSC
-
0
8°
D1
E2
4.57REF
2.41REF
声明：上海矽诺微不对本公司产品以外的任何电路使用负责，也不提供其专利许
可。上海矽诺微电子留在任何时间、没有任何通报的前提下修改产品资料和规格的
权利。
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 155A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
LITTELFUSE
MIXA101W1200EH
Insulated Gate Bipolar Transistor, 155A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-19
IXYS
MIXA101W1200EH
Insulated Gate Bipolar Transistor, 155A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-19
LITTELFUSE
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