概述
规格参数
数据手册MBRB1045CT-TP-HF 概述
Rectifier Diode, 整流二极管
MBRB1045CT-TP-HF 规格参数
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | D2PAK-3/2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.62 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW POWER LOSS | 应用： | EFFICIENCY |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.55 V | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值正向电流： | 125 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 5 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 最大重复峰值反向电压： | 45 V | 最大反向电流： | 500 µA |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | Base Number Matches： | 1 |
MBRB1045CT-TP-HF 数据手册
通过下载MBRB1045CT-TP-HF数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。
PDF下载M C C
MBRB1030CT
THRU
MBRB1045CT
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents
21201 Itasca Street Chatsworth
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ
10 Amp
Schottky
Barrier Rectifier
30 to 45 Volts
Features
·
·
·
·
·
Meatl of Silicon Rectifier, Majority Conducton
Guard ring for transient protection
Low Forward Voltage Drop
High Current Capability, High Efficiency
Low Power Loss
D2PAK
Maximum Ratings
·
·
Operating Temperature: -55°C to +125°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
K
MCC
Catalog
Number
Maximum
Reccurrent
Peak Reverse
Voltage
30V
Maximum Maximum
I
A
RMS
Voltage
DC
Blocking
Voltage
30V
K
D
C
MBRB1030CT
MBRB1035CT
MBRB1040CT
MBRB1045CT
21V
B
K
1
2
35V
40V
45V
24.5V
28V
35V
40V
F
G
31.5V
45V
H
E
J
PIN 1
PIN 2
K
HEATSINK
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
IF(AV)
10 A
TC = 95°C
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
IFSM
125A
8.3ms, half sine
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢆꢄꢅ
ꢇ ꢇ ꢇ ꢇ
INCHES
ꢂꢁꢄ
MM
ꢀꢁꢂ
A
B
ꢂꢈꢉ
.421
.625
.364
ꢂꢁꢄ
9.65
14.60
8.25
ꢂꢈꢉ
10.69
15.88
9.25
ꢄꢆꢊꢃ
VF
.55V
IFM = 5A;
TJ = 25°C
.380
.575
.325
C
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
D
E
F
G
H
.045
.020
.090
.090
.080
.055
.045
.110
.110
.115
.055
.025
1.14
0.51
2.29
2.29
2.03
1.14
1.40
1.14
2.79
2.79
2.92
1.40
IR
0.5mA
TJ = 25°C
I
J
.045
.012
0.30
0.64
Typical Junction
Capacitance
CJ
200pF Measured at
1.0MHz,
K
.172
.190
4.37
4.83
VR=4.0V
*Pulse Test: Pulse Width 300msec, Duty Cycle 1%
www.mccsemi.com
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
MBRB1030CT thru MBRB1045CT
M C C
FIG.1 - FORWARD CURRENT DERATING CURVE
FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGE CURRENT
150
15
125
100
75
10
50
5
8.3ms Single Half-Sine-Wave
(JEDEC METHOD)
25
0
RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD
0
25
20
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
50
75
100
125
150
175
1
2
5
10
50
100
CASE TEMPERATURE , C
FIG.3 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
FIG.4 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
100
10
100
TJ = 125 C
TJ = 125 C
TJ = 100 C
TJ = 25 C
10
1.0
0.1
1.0
0.1
TJ = 25 C
.01
PULSE WIDTH 300us
2% Duty Cycle
.001
140
20
40
60
80
100
120
0
1.1
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE , VOLTS
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE, (%)
FIG.5 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
1000
100
TJ = 25 C, f= 1MHz
1
10
0.1
100
4
10
REVERSE VOLTAGE , VOLTS
www.mccsemi.com
MBRB1045CT-TP-HF 相关器件
| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| MBRB1045CTS | YANGJIE | TO-263 | 获取价格 |
|
| MBRB1045G | ONSEMI | SWITCHMODE Schottky Power Rectifier | 获取价格 |
|
| MBRB1045HE3/45 | VISHAY | Schottky Barrier Rectifier | 获取价格 |
|
| MBRB1045HE3/81 | VISHAY | Schottky Barrier Rectifier | 获取价格 |
|
| MBRB1045HE3_A/I | VISHAY | DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO263AB | 获取价格 |
|
| MBRB1045HE3_A/P | VISHAY | DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO263AB | 获取价格 |
|
| MBRB1045HE3_B/I | VISHAY | Rectifier Diode, | 获取价格 |
|
| MBRB1045HE3_B/P | VISHAY | Rectifier Diode, | 获取价格 |
|
| MBRB1045PBF | INFINEON | SCHOTTKY RECTIFIER | 获取价格 |
|
| MBRB1045PBF | VISHAY | Schottky Rectifier, 10 A | 获取价格 |
|
MBRB1045CT-TP-HF 相关文章
Bourns 密封通孔金属陶瓷微调电位计产品选型手册(英文版)
- 2024-09-20
- 6
Bourns 精密环境传感器产品选型手册(英文版)
- 2024-09-20
- 9
Bourns POWrTher 负温度系数(NTC)热敏电阻手册 (英文版)
- 2024-09-20
- 8
Bourns GMOV 混合过压保护组件产品选型手册(英文版)
- 2024-09-20
- 6
