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MMDT3906V PNP塑封装晶体管 (PNP Plastic-Encapsulate Transistors)
.型号:   MMDT3906V
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描述: PNP塑封装晶体管
PNP Plastic-Encapsulate Transistors
文件大小 :   226 K    
页数 : 4 页
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品牌   MCC [ Micro Commercial Components ]
购买 :   
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100%
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯

???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
MMDT3906V
特点
最大额定值@ 25
O
C除非另有说明
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
C
R
©
JA
T
J
T
英镑
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极耗散
热阻结到环境
工作结温
储存温度
无铅涂层/符合RoHS ( "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息)
外延片建设
非常适用于低功率放大和开关
超小型表面贴装封装
标记: KAR
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
等级
-40
-40
-5
-0.2
0.15
833
-55到+150
-55到+150
单位
V
V
V
A
W
/W
PNP
塑料封装
晶体管
SOT-563
电气特性@ 25
O
C除非另有说明
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CEX
I
BL
h
FE
参数
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= -1mAdc ,我
B
=0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= -10uAdc ,我
E
=0)
集电极 - 发射极击穿电压
(I
E
= -10uAdc ,我
C
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
=-30Vdc,V
EB (O FF )
=-3Vdc)
基地截止电流
(V
CE
=-30Vdc,V
EB (O FF )
=-3Vdc)
直流电流增益
(I
C
= -0.1mAdc ,V
CE
=-1Vdc)
(I
C
= -1mAdc ,V
CE
=-1Vdc)
(I
C
= -10mAdc ,V
CE
=-1Vdc)
(I
C
= -50mAdc ,V
CE
=-1Vdc)
(I
C
= -100mAdc ,V
CE
=-1Vdc)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= -10mAdc ,我
B
=-1mAdc)
(I
C
= -50mAdc ,我
B
=-5mAdc)
基射极饱和电压
(I
C
= -10mAdc ,我
B
=-1mAdc)
(I
C
= -50mAdc ,我
B
=-5mAdc)
-40
-40
-5
---
---
60
80
100
60
30
---
---
-0.65
---
典型值
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
最大
---
---
---
50
50
---
---
300
---
---
-0.25
-0.4
-0.85
-0.95
单位
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
暗淡
A
B
C
D
G
H
K
L
M
尺寸
英寸
最大
.006
.011
.043
.049
.061
.067
.020
.035
.043
.059
.067
.022
.023
.004
.011
.004
.007
MM
0.15
1.10
1.55
0.50
0.90
1.50
0.56
0.10
0.10
1.10
1.70
0.60
0.30
0.18
最大
0.30
1.25
1.70
---
V
CE ( SAT )
VDC
V
BE ( SAT )
VDC
修改:
A
www.mccsemi.com
1 4
2011/01/01
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