MX28F1000PQI-90 [MCNIX]

1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY; 1M - BIT [ 128K ×8 ] CMOS FLASH MEMORY
MX28F1000PQI-90
元器件型号: MX28F1000PQI-90
生产厂家: MACRONIX INTERNATIONAL    MACRONIX INTERNATIONAL
描述和应用:

1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY
1M - BIT [ 128K ×8 ] CMOS FLASH MEMORY

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型号参数:MX28F1000PQI-90参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD
零件包装代码LCC
包装说明QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.51
风险等级5.32
Is SamacsysN
最长访问时间90 ns
命令用户界面YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PQCC-J32
JESD-609代码e0
长度14.0462 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模4,7
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC32,.5X.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压12 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.55 mm
部门规模4K,16K
最大待机电流0.0001 A
子类别Flash Memories
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度11.5062 mm
Base Number Matches1