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MX28F1000PQI-70 1M - BIT [ 128K ×8 ] CMOS FLASH MEMORY (1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY)
型号:   MX28F1000PQI-70
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描述: 1M - BIT [ 128K ×8 ] CMOS FLASH MEMORY
1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY
文件大小 :   127 K    
页数 : 33 页
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品牌   MCNIX [ MACRONIX INTERNATIONAL ]
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100%
MX28F1000P
1M - BIT [ 128K ×8 ] CMOS FLASH MEMORY
特点
• 131,072字节由8位组织
•快速存取时间: 70ns的(Vcc : 5V ± 5 % ; CL : 35pF )
90 / 120ns的(VCC为5V ± 10 % ; CL : 100pF的)
•低功耗
- 50毫安最大工作电流
- 为100uA最大待机电流
•编程和擦除电压12V
±
5%
•命令寄存器架构
- 字节编程( 15US典型值)
- 自动芯片擦除5秒典型
(包括预编程时间)
•块擦除
•优化的高密度架构受阻
- 四4 KB块
- 七16 KB块
自动擦除(芯片&块)和自动编程
- 数据查询
- 触发位
万最低擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1到VCC + 1V
先进的CMOS闪存技术
兼容JEDEC标准的字节宽32针
EPROM引脚
套餐类型:
- 32引脚塑料DIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚的TSOP (类型1)
概述
该MX28F1000P是一个1兆比特的闪存或 -
ganized为128K字节,每个字节8比特。 MXIC的Flash
回忆提供最具成本效益和可靠的
读/写的非易失性随机存取存储器。该
MX28F1000P封装在32引脚PDIP, PLCC
和TSOP 。它被设计成可重新编程和
擦除在系统或在标准EPROM编程
聚体。
该标准MX28F1000P提供存取时间
快70纳秒,高速运转使
微处理器无需等待。为了消除
总线冲突, MX28F1000P有单独的芯片
使能(CE )和输出使能(OE )控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能 - EPROM
先进而精湛,在电路中的电擦除和
编程。该MX28F1000P使用命令
注册管理这个功能,而
保持一个标准的32引脚引脚排列。该
命令寄存器允许100%的TTL电平控制
输入和擦除过程中固定电源电平
和编程,同时保持最高
EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器CON-
即使经过万次擦除和编程帐篷。
该MXIC单元的设计优化了擦除和
编程机制。此外, combi-
先进的隧道氧化处理和低的国家
内部电场的擦除和编程
操作产生可靠的自行车。
MX28F1000P采用了12.0V
±
5 % VPP供应
进行自动编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的是
实现了与旺宏的专利非外延工艺。
闩锁保护证明为应力高达100
对地址和数据引脚从-1V到VCC毫安
+ 1V.
P / N : PM0340
1
REV 。 1.6 ,一月19 , 1999
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