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MX28F1000P
1M - BIT [ 128K ×8 ] CMOS FLASH MEMORY
特点
• 131,072字节由8位组织
•快速存取时间: 70ns的(Vcc : 5V ± 5 % ; CL : 35pF )
90 / 120ns的(VCC为5V ± 10 % ; CL : 100pF的)
•低功耗
- 50毫安最大工作电流
- 为100uA最大待机电流
•编程和擦除电压12V
±
5%
•命令寄存器架构
- 字节编程( 15US典型值)
- 自动芯片擦除5秒典型
(包括预编程时间)
•块擦除
•优化的高密度架构受阻
- 四4 KB块
- 七16 KB块
自动擦除(芯片&块)和自动编程
- 数据查询
- 触发位
万最低擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1到VCC + 1V
先进的CMOS闪存技术
兼容JEDEC标准的字节宽32针
EPROM引脚
套餐类型:
- 32引脚塑料DIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚的TSOP (类型1)
概述
该MX28F1000P是一个1兆比特的闪存或 -
ganized为128K字节,每个字节8比特。 MXIC的Flash
回忆提供最具成本效益和可靠的
读/写的非易失性随机存取存储器。该
MX28F1000P封装在32引脚PDIP, PLCC
和TSOP 。它被设计成可重新编程和
擦除在系统或在标准EPROM编程
聚体。
该标准MX28F1000P提供存取时间
快70纳秒,高速运转使
微处理器无需等待。为了消除
总线冲突, MX28F1000P有单独的芯片
使能(CE )和输出使能(OE )控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能 - EPROM
先进而精湛,在电路中的电擦除和
编程。该MX28F1000P使用命令
注册管理这个功能,而
保持一个标准的32引脚引脚排列。该
命令寄存器允许100%的TTL电平控制
输入和擦除过程中固定电源电平
和编程,同时保持最高
EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器CON-
即使经过万次擦除和编程帐篷。
该MXIC单元的设计优化了擦除和
编程机制。此外, combi-
先进的隧道氧化处理和低的国家
内部电场的擦除和编程
操作产生可靠的自行车。
MX28F1000P采用了12.0V
±
5 % VPP供应
进行自动编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的是
实现了与旺宏的专利非外延工艺。
闩锁保护证明为应力高达100
对地址和数据引脚从-1V到VCC毫安
+ 1V.
P / N : PM0340
1
REV 。 1.6 ,一月19 , 1999
MX28F1000P
MX28F1000P块地址和块结构
A16 A15
1
1
1
1
1
1
1
1
A14 A13
1
1
1
1
1
1
0
0
A12
1
0
1
0
A[16:0]
1FFFF
1F000
1EFFF
1E000
1DFFF
1D000
1CFFF
1C000
1BFFF
1
1
0
X
X
4k
4k
4k
4k
16k
18000
17FFF
1
0
1
X
X
16k
14000
13FFF
1
0
0
X
X
16k
10000
0FFFF
0
1
1
X
X
16k
0C000
0BFFF
0
1
0
X
X
16k
08000
07FFF
0
0
1
X
X
16k
04000
03FFF
0
0
0
X
X
16k
00000
P / N : PM0340
REV 。 1.6 ,一月19 , 1999
2
MX28F1000P
销刀豆网络gurations
32 PDIP
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
TSOP (类型1)
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE
VCC
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
GND
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
A3
MX28F1000P
MX28F1000P
(普通型)
32 PLCC
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
GND
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
A3
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE
VCC
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
VCC
VPP
A12
A15
A16
WE
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
5
4
1
32
30
29
NC
A14
A13
A8
A9
MX28F1000P
9
MX28F1000P
25
A11
OE
A10
CE
13
14
Q1
Q2
VSS
17
Q3
Q4
Q5
21
20
Q6
Q7
(反式)
引脚说明:
符号
A0~A16
Q0~Q7
CE
OE
WE
VPP
VCC
GND
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能引脚
项目电源电压
电源引脚( + 5V )
接地引脚
P / N : PM0340
REV 。 1.6 ,一月19 , 1999
3
MX28F1000P
框图
CE
OE
WE
控制
输入
逻辑
编程/擦除
高压
模式
逻辑
状态
MX28F1000P
FL灰
ARRAY
ARRAY
来源
HV
X解码器
注册
地址
LATCH
A0-A16
卜FF器
Y型通门
命令
数据
解码器
y解码器
SENSE
扩音器
PGM
数据
HV
命令
数据锁存器
节目
数据锁存器
Q0-Q7
I / O缓冲器
P / N : PM0340
REV 。 1.6 ,一月19 , 1999
4
MX28F1000P
自动编程
该MX28F1000P是使用字节可编程
自动编程算法。自动
编程算法不要求系统
超时或验证编程的数据。典型的
的室温芯片编程时间
MX28F1000P小于5秒。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
只写擦除设置命令和擦除的COM
命令。设备会自动预先计划和
验证整个阵列。然后设备会自动
次擦除脉冲宽度,提供擦除验证,
和计数序列的数目。状态位
类似的数据轮询和状态位来回切换
连续的读周期之间,提供反馈
用户为擦除操作的状态。
自动芯片擦除
该装置可使用自动擦除要擦除
算法。自动擦除算法automati-
美云计划整个阵列之前,电擦除。
电擦除的时序和验证是
控制器件内部。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到内部状态机
控制该擦除和编程电路。
在写周期中,指令寄存器内部
锁存地址和数据需要的编程
和擦除操作。对于系统设计simplifica-
和灰,所述MX28F1000P被设计为支持
WE或CE控制写入。在一个系统中写
周期,地址锁存WE的下降沿
或CE为准过去。数据被锁存的
WE或CE的上升沿发生者为准第一次。对
简化下面的讨论中,在WE引脚用作
在整个的这个剩下的写周期控制销
文本。所有的建立和保持时间是相对于该
WE信号。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验,生产质量的最高水平, relia-
相容性,和成本效益。该MX28F1000P electri-
美云擦除同时使用福勒, Nord-所有位
海姆隧道。该字节编程一个字节
用热的EPROM编程机制的时间
电子注入。
自动闭塞ERASE
该MX28F1000P是使用块(S )可擦除MXIC的
自动块擦除算法。块擦除模式允许
该阵列的块,以在一个擦除周期被擦除。
自动块擦除算法自动
程序指定的块(多个)之前,电
抹去。电擦除的定时与验证
被控制器件内部。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户能够只编写一个程序,建立命令和
的程序指令(程序数据和地址)。该
设备自动次编程脉冲
宽度,提供了程序验证,并计数
序列号。类似数据的状态位
轮询和状态位之间连续切换
读周期,将反馈提供给用户作为对
编程操作的状态。
P / N : PM0340
REV 。 1.6 ,一月19 , 1999
5
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