MX28F1000P

1M - BIT [ 128K ×8 ] CMOS FLASH MEMORY

特点

• 131,072字节由8位组织

•快速存取时间： 70ns的（Vcc ： 5V ± 5 ％ ; CL ： 35pF ）

90 / 120ns的（VCC为5V ± 10 ％ ; CL ： 100pF的）

•低功耗

- 50毫安最大工作电流

- 为100uA最大待机电流

•编程和擦除电压12V

±

5%

•命令寄存器架构

- 字节编程（ 15US典型值）

- 自动芯片擦除5秒典型

（包括预编程时间）

•块擦除

•优化的高密度架构受阻

- 四4 KB块

•

- 七16 KB块

自动擦除（芯片&块）和自动编程

- 数据查询

- 触发位

万最低擦除/编程周期

闭锁保护100mA的电流从-1到VCC + 1V

先进的CMOS闪存技术

兼容JEDEC标准的字节宽32针

EPROM引脚

套餐类型：

- 32引脚塑料DIP

- 32引脚PLCC

- 32引脚的TSOP （类型1）

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概述

该MX28F1000P是一个1兆比特的闪存或 -

ganized为128K字节，每个字节8比特。 MXIC的Flash

回忆提供最具成本效益和可靠的

读/写的非易失性随机存取存储器。该

MX28F1000P封装在32引脚PDIP， PLCC

和TSOP 。它被设计成可重新编程和

擦除在系统或在标准EPROM编程

聚体。

该标准MX28F1000P提供存取时间

快70纳秒，高速运转使

微处理器无需等待。为了消除

总线冲突， MX28F1000P有单独的芯片

使能（CE ）和输出使能（OE ）控制。

旺宏的快闪记忆体扩充功能 - EPROM

先进而精湛，在电路中的电擦除和

编程。该MX28F1000P使用命令

注册管理这个功能，而

保持一个标准的32引脚引脚排列。该

命令寄存器允许100％的TTL电平控制

输入和擦除过程中固定电源电平

和编程，同时保持最高

EPROM的兼容性。

旺宏Flash技术可靠地保存存储器CON-

即使经过万次擦除和编程帐篷。

该MXIC单元的设计优化了擦除和

编程机制。此外， combi-

先进的隧道氧化处理和低的国家

内部电场的擦除和编程

操作产生可靠的自行车。

该

MX28F1000P采用了12.0V

±

5 ％ VPP供应

进行自动编程/擦除算法。

最高程度的闩锁保护的是

实现了与旺宏的专利非外延工艺。

闩锁保护证明为应力高达100

对地址和数据引脚从-1V到VCC毫安

+ 1V.

P / N ： PM0340

1

REV 。 1.6 ，一月19 ， 1999