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ST1825CG8R2K501 软终端多层陶瓷芯片电容器 (Soft Termination Multilayer Ceramic Chip Capacitors)
.型号:   ST1825CG8R2K501
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描述: 软终端多层陶瓷芯片电容器
Soft Termination Multilayer Ceramic Chip Capacitors
文件大小 :   1231 K    
页数 : 10 页
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品牌   MERITEK [ MERITEK ELECTRONICS CORPORATION ]
购买 :   
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100%
软终端多层
陶瓷芯片电容
RoHS指令
ST
系列
Meritek
R
ELIABILITY
T
美东时间
C
ONDITIONS和
R
EQUIREMENTS
---
测试条件
需求
*没有明显的缺陷。
*尺寸以符合个别规格表。
*不得超过详细规范中规定的限值。
NP0 : Cap≥30pF , Q≥1000 ; Cap<30pF , Q≥400 + 20℃
1.视觉和
机械
2.电容
I级: ( NP0 )
Cap≤1000pF , 1.0± 0.2Vrms , 1MHz的± 10%的
3. Q / D.F.
(耗散
Cap>1000pF , 1.0± 0.2Vrms , 1KHz的± 10%的
第二类: ( X7R )
因子)
1.0± 0.2Vrms , 1KHz的± 10%的
4.温度
由于没有电力负荷。
T.C.
工作温度
系数
NP0
在25℃ -55〜 125℃
C
C
在25℃ -55〜 125℃
C
C
X7R
5.绝缘
阻力
6.介质
实力
U
R
= 100V :施加电压时ü
R
为最大。 120秒。
U
R
>100V :施加电压时ü
R
( 500V以下) 60
美国证券交易委员会。
*申请电压:
100V
= 2.5的U倍
R
200V/250V
U型= 2倍
R
500V
U型= 1.5倍
R
> 500V
= 1.2倍的U
R
*持续时间: 1〜 5秒。
X7R :
≤2.5%
T.C.
NPO
X7R
静电容量变化
在± 30ppm的/ °
C
±15%以内
I类( NP0 )
II级( X7R )
:
≥100G
或RxC≥1000 -F以较小者为准。
:
≥10G
或RxC≥500 -F以较小者为准。
*测试过程中损坏或闪络现象的证据。
7.焊
*焊锡温度: 235 ± 5 °
C
*浸渍时间: 2 ± 0.5秒。
8.耐
*焊锡温度: 260 ± 5 °
C
*浸渍时间: 10 ±1秒
*预热: 120 〜150℃进行1分钟前
C
将电容器浸泡在共晶焊料。
*初始测量前:进行150 + 0 / -10℃
C
为1小时,然后于48 ±4小时,在室温下设置的。
保持在室温之后被制成*测量
温度。 24± 2小时( I级)或48 ±4小时( II级)
9.温度
*根据行为的五个周期
周期
的温度和时间。
温度。 ( °
C)
时间(min 。 )
1分钟。工作温度。 + 0 / -3
30±3
2室温。
2~3
3最大。工作温度。 + 3 / -0
30±3
4室温。
2~3
*初始测量前:进行150 + 0 / -10℃
C
为1小时,然后于48 ±4小时,在室温下设置的。
保持在室温之后被制成*测量
温度。 24 ±2小时。 ( I级)或48 ±4小时( II级)
10.湿度
*测试温度: 40 ±2°
C
(湿热)
*湿度: 90 〜 95 % RH
稳定状态
*测试时间: 500 + 24 / -0hrs 。
保持在室温之后被制成*测量
温度。 24 ±2小时。 ( I级)或48 ±4小时( II级)
NPO :95%
分钟。覆盖所有的金属化区域。
X7R 75 %以上。覆盖所有的金属化区域。
*没有显着的损害。
*帽的变化:
NP0 :在± 2.5 %或±电容是0.25 pF以较大者为准。
* Q / D.F 。 , I,R和介电强度:为了满足最初的需求。
X7R :
±15%以内
* 25 %以下。浸在每个边缘。
*没有显着的损害。
*帽的变化:
NP0 :在± 2.5 %或±电容是0.25 pF以较大者为准。
X7R :在± 15 %
* Q / D.F :
X7R :
≤1.5
×
最初的要求
* I.R.≥ 0.25
×
最初的需求。
*没有显着的损害。
*帽的变化:
NP0 :在± 5.0 %或±在0.5pF以较大者为准。
X7R :在± 15 %
Q / D.F值:
NP0 : Cap≥30pF , Q≥350 ; 10pF≤Cap<30pF , Q≥275 + 2.5C
Cap<10pF ; Q≥200 + 10℃
X7R :
≤7.0%
* I.R :
≥1G
或RxC≥50 -F以较小者为准。
Rev.7
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