元器件型号: | 23A256-I/P |
生产厂家: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
描述和应用: | 256K SPI Bus Low-Power Serial SRAM |
PDF文件: | 总28页 (文件大小:542K) |
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型号参数:23A256-I/P参数 | |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.51 |
Factory Lead Time | 8 weeks |
风险等级 | 5.46 |
Is Samacsys | N |
最大时钟频率 (fCLK) | 16 MHz |
I/O 类型 | SEPARATE |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 9.271 mm |
内存密度 | 262144 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1, (3 LINE) |
端子数量 | 8 |
字数 | 32768 words |
字数代码 | 32000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 32KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT APPLICABLE |
电源 | 1.8 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.334 mm |
最大待机电流 | 5e-7 A |
最小待机电流 | 1.5 V |
子类别 | SRAMs |
最大压摆率 | 0.01 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE |
宽度 | 7.62 mm |
Base Number Matches | 1 |
256K SPI Bus Low-Power Serial SRAM
256K SPI总线的低功耗串行SRAM