23A512T-I-SN [MICROCHIP]

A broad portfolio of high performance, best-in-class Serial Memory Products to meet all your design requirements.; 高性能的广泛产品组合,最好的一流的串行存储器产品,以满足您的设计要求。
23A512T-I-SN
元器件型号: 23A512T-I-SN
生产厂家: MICROCHIP TECHNOLOGY    MICROCHIP TECHNOLOGY
描述和应用:

A broad portfolio of high performance, best-in-class Serial Memory Products to meet all your design requirements.
高性能的广泛产品组合,最好的一流的串行存储器产品,以满足您的设计要求。

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型号参数:23A512T-I-SN参数
是否Rohs认证 符合
生命周期Active
包装说明TSSOP, TSSOP8,.25
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time9 weeks
风险等级5.5
最大时钟频率 (fCLK)20 MHz
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度4.4 mm
内存密度524288 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量1, (3 LINE)
端子数量8
字数65536 words
字数代码64000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8/2 V
认证状态Not Qualified
筛选级别TS 16949
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.000004 A
最小待机电流1.7 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)2.2 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度3 mm
Base Number Matches1