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废弃的设备
28C64A
64K ( 8K ×8 )的CMOS EEPROM
特点
•快速读取访问时间150纳秒
• CMOS技术的低功耗
- 30毫安活动
- 100
µA
待机
•快速字节写入时间-200
µs
或1毫秒
•数据保留>200年
•高耐用性 - 最少10万次擦除/写
周期
•自动写操作
- 内部控制定时器
- 自动清除写入操作之前
- 片内地址和数据锁存器
- 数据查询
•就绪/忙
•芯片清零操作
•增强的数据保护
- V
CC
探测器
- 脉冲滤波器
- 写保护
•电子签名的设备标识
• 5伏,只有操作
•组织8Kx8 JEDEC标准引脚
- 28脚双列直插式封装
- 32引脚PLCC封装
- 28引脚SOIC封装
•可扩展工作温度范围:
- 商业: 0 ° C至+ 70°C
- 工业:
-40 ° C至+ 85°C
封装类型
RDY / BSY
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
•1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
NC
A8
A6
5
A9
A5
6
A11 A4
7
A3
8
OE
A10 A2
9
A1
10
CE
A0
11
I/O7
NC
12
I/O6
I/O0
13
I/O5
I/O4
I/O3
2
RDY / BSY
1
NU
4
A7
3
A12
32
VCC
31
WE
18
19
30
NC
29
A8
28
A9
27
A11
26
NC
25
OE
24
A10
23
CE
22
I/O7
21
I/O6
14
15
16
17
•引脚1指示灯PLCC封装的顶部
框图
I/O0
I/O7
V
SS
V
CC
CE
OE
WE
RDY /
数据保护
电路
CHIP ENABLE /
OUTPUT ENABLE
控制逻辑
自动擦除/写
定时
数据
调查
编程电压
GENERATION
A0
L
a
t
c
h
e
s
A12
Y
解码器
X
解码器
描述
Microchip Technology Inc.的28C64A是CMOS 64K非
性电可擦除的PROM 。该28C64A是
如同一个静态RAM的读或写周期的存取与 -
出的外部元件的需要。在一个“字节写”
的地址和数据被内部地锁存,从而释放微
处理器地址和数据总线,用于其它操作。跟着
哞哞叫写周期的开始,该设备将进入一个繁忙
国家和自动清除,并用写锁存数据
内部控制计时器。来判断写周期时
完成后,该用户具有监视就绪的选择/
忙碌的输出或使用数据轮询。的Ready / Busy引脚为
开漏输出,可以方便地CON组fi guration在wired-
或系统。可替换地,数据轮询允许用户读
位置的上次写入时写入操作的COM
完整的。 CMOS的设计和处理使得这部分是
在系统用在降低功耗和可靠性
能力是必需的。包的一个完整的家庭提供
提供最大的灵活性在应用程序中。
2004年Microchip的科技公司
I/O1
I/O2
VSS
NU
I/O3
I/O4
I/O5
输入/输出
缓冲器
ÿ门控
16K位
细胞矩阵
DS11109K第1页
20
DIP / SOIC
PLCC
28C64A
1.0
1.1
电气特性
最大额定值*
表1-1:
名字
A0 - A12
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
RDY / BUSY
V
CC
V
SS
NC
NU
引脚功能表
功能
地址输入
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
就绪/忙
+ 5V电源
无连接;无内部连接
未使用;无需外部连接是
允许
V
CC
与输入电压w.r.t. V
SS
....... -0.6V至+ 6.25V
在OE w.r.t.电压V
SS
...................... -0.6V至+ 13.5V
在A9 w.r.t.电压V
SS
...................... -0.6V至+ 13.5V
输出电压w.r.t. V
SS
.................- 0.6V至V
CC
+0.6V
储存温度..........................- 65 ° C至+ 125°C
环境温度。电源采用.......- 50 ° C至+ 95°C
*注意:
条件超过上述“绝对最大值”上市
可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力额定
荷兰国际集团的设备仅运行在超过或任何
上述其他条件的操作列表说明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值CON-
ditions长时间可能会影响器件的可靠性。
表1-2:
读/写操作的DC特性
V
CC
= +5V
±10%
商业( C) :环境温度Tamb = 0°C至+ 70°C
产业
( I) :环境温度Tamb = -40 ° C至+ 85°C
参数
输入电压
输入漏
输入电容
输出电压
输出漏
输出电容
电源电流,有功功率
电源电流,待机
状态
逻辑“1”的
逻辑“0”的
逻辑“1”的
逻辑“0”的
TTL输入
符号
V
IH
V
IL
I
LI
C
IN
V
OH
V
OL
I
LO
C
OUT
I
CC
2.0
-0.1
-10
2.4
最大
Vcc+1
0.8
10
10
单位
V
V
µA
pF
V
V
µA
pF
mA
mA
mA
µA
条件
V
IN
= -0.1V至Vcc 1
V
IN
= 0V ;环境温度Tamb = 25°C ;
F = 1兆赫(注2)
I
OH
= -400
µA
I
OL
= 2.1毫安
V
OUT
= -0.1V至Vcc + 0.1V
V
IN
= 0V ;环境温度Tamb = 25°C ;
F = 1兆赫(注2)
F = 5兆赫(注1)
V
CC
= 5.5V
CE = V
IH
( 0 ° C至+ 70 ° C)
CE = V
IH
( -40 ° C至+ 85°C )
CE = V
CC
-0.3到Vcc 1
OE = WE = VCC
所有其它输入等于V
CC
或V
SS
0.45
-10
10
12
30
2
3
100
TTL输入
I
CC
(
S
)
TTL
I
CC
(
S
)
TTL
TTL输入
CMOS输入I
CC
(
S
)
CMOS
注1 :交流电源电流高于5MHz的: 2毫安/ MHz的。
2 :没有100 %测试。
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28C64A
表1-3:
读操作交流特性
AC测试波形:
输出负载:
输入上升和下降时间:
环境温度:
28C64A
-15
V
IH
= 2.4V; V
IL
= 0.45V; V
OH
= 2.0V; V
OL
= 0.8V
1 TTL负载+ 100 pF的
20纳秒
商业( C) :
环境温度Tamb = 0°C至+ 70°C
产业
(I):
环境温度Tamb = -40°C至+ 85°C
28C64A
-20
28C64A
-25
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
CE或OE高到输出浮动
从地址,CE输出保持
或OE ,先到为准科幻RST 。
耐力
符号
t
t
CE
t
OE
t
关闭
t
OH
0
0
1M
最大
150
150
70
50
0
0
1M
最大
200
200
80
55
0
0
1M
最大
250
250
100
70
单位
ns
ns
ns
ns
ns
条件
OE = CE = V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
(注1 )
(注1 )
周期25 ° C, VCC =
5.0V座
模式(注2 )
注1 :未经过100%测试。
2:该参数没有进行测试,但性能可以保证。对于一个特定的应用程序ç估计耐用性
阳离子,请咨询可在我们的BBS或网站获得的总耐力模式。
图1-1:
V
IH
地址
V
IL
V
IH
CE
V
IL
读操作波形
地址有效
t
CE(2)
V
IH
OE
V
IL
t
OE(2)
V
OH
数据
V
OL
t
V
IH
WE
V
IL
注:(1 )T
关闭
被指定为OE或CE ,以先到为准
( 2 ) OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
(3 )该参数进行采样,不是100 %的测试
高Z
t
OFF(1,3)
t
OH
有效的输出
高Z
CE
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DS11109K第3页
28C64A
表1-4:
字节写AC特性
AC测试波形:
输出负载:
输入上升/下降时间:
环境温度:
参数
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
把脉冲宽度
写脉冲高电平时间
OE保持时间
OE建立时间
数据有效时间
时间到设备忙
写周期时间(
28C64A
)
写周期时间(
28C64A
F)
符号
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
WPL
t
WPH
t
OEH
t
OES
t
DV
t
DB
t
WC
t
WC
10
50
50
10
100
50
10
10
2
V
IH
= 2.4V; V
IL
= 0.45V; V
OH
= 2.0V; V
OL
= 0.8V
1 TTL负载+ 100 pF的
20纳秒
商业( C) :
环境温度Tamb = 0°C至+ 70°C
产业
(I):
环境温度Tamb = -40°C至+ 85°C
最大
1000
50
1
200
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
µs
0.5毫秒的典型
100
µs
典型
注2
注1
备注
注1 :在写周期可以启动具有CE或WE变低​​,最后的为准。该数据被锁存的POS-
可持续的竞争优势WE,以先到为准科幻RST 。
2 :数据必须在最大1000ns最大有效。之后开始写周期,并且必须是稳定的,至少直到吨
DH
WE或CE的上升沿后,以先到为准科幻RST 。
图1-2:
编程波形
V
IH
地址
V
IL
V
IH
CE, WE
V
IL
t
DV
DATA IN
V
IH
V
IL
t
OES
V
IH
OE
V
IL
t
OEH
V
OH
RDY / BUSY
V
OL
t
WC
t
DB
准备
t
DS
t
AS
t
AH
t
WPL
t
DH
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2004年Microchip的科技公司
28C64A
图1-3:
V
IH
地址
V
IL
地址有效
t
t
CE
t
WPH
数据轮询波形
最后写入
地址有效
V
IH
CE
V
IL
V
IH
WE
V
IL
t
WPL
t
OE
V
IH
OE
V
IL
t
DV
V
IH
数据
V
IL
DATA IN
有效
t
WC
I / O7输出
真正的数据输出
图1-4:
V
IH
CE
V
IL
V
H
OE
V
IH
V
IH
WE
V
IL
CHIP清除波形
t
S
t
W
t
H
t
W
= 10ms的
t
S
= t
H
= 1µs
V
H
= 12.0V
±0.5V
表1-5 :
模式
芯片清除
额外的行读
额外的行写
注意:
辅助控制
CE
V
IL
V
IL
*
OE
V
IH
V
IL
V
IH
WE
V
IL
V
IH
*
A9
X
A9 = V
H
A9 = V
H
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
数据输出
DATA IN
I / O
I
V
H
= 12.0V±0.5V.
*每个编程脉冲波形。
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