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28C64AT-20/P 64K ( 8K ×8 )的CMOS EEPROM (64K (8K x 8) CMOS EEPROM)
.型号:   28C64AT-20/P
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描述: 64K ( 8K ×8 )的CMOS EEPROM
64K (8K x 8) CMOS EEPROM
文件大小 :   132 K    
页数 : 10 页
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品牌   MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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100%
28C64A
表1-3:
读操作交流特性
AC测试波形:
输出负载:
输入上升和下降时间:
环境温度:
28C64A
-15
V
IH
= 2.4V; V
IL
= 0.45V; V
OH
= 2.0V; V
OL
= 0.8V
1 TTL负载+ 100 pF的
20纳秒
商业( C) :
环境温度Tamb = 0°C至+ 70°C
产业
(I):
环境温度Tamb = -40°C至+ 85°C
28C64A
-20
28C64A
-25
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
CE或OE高到输出浮动
从地址,CE输出保持
或OE ,先到为准科幻RST 。
耐力
符号
t
t
CE
t
OE
t
关闭
t
OH
0
0
1M
最大
150
150
70
50
0
0
1M
最大
200
200
80
55
0
0
1M
最大
250
250
100
70
单位
ns
ns
ns
ns
ns
条件
OE = CE = V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
(注1 )
(注1 )
周期25 ° C, VCC =
5.0V座
模式(注2 )
注1 :未经过100%测试。
2:该参数没有进行测试,但性能可以保证。对于一个特定的应用程序ç估计耐用性
阳离子,请咨询可在我们的BBS或网站获得的总耐力模式。
图1-1:
V
IH
地址
V
IL
V
IH
CE
V
IL
读操作波形
地址有效
t
CE(2)
V
IH
OE
V
IL
t
OE(2)
V
OH
数据
V
OL
t
V
IH
WE
V
IL
注:(1 )T
关闭
被指定为OE或CE ,以先到为准
( 2 ) OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
(3 )该参数进行采样,不是100 %的测试
高Z
t
OFF(1,3)
t
OH
有效的输出
高Z
CE
2004年Microchip的科技公司
DS11109K第3页
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