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B82730U3102A020  B82731M2401A033  B82731T2451A020  B82732F2162B001  B82732F2132B001  B82732F2601B001  B82731T2651A020  B82724J2512N020  B82725A2102N001  B82730U  
28C64AT-20I/L 64K ( 8K ×8 )的CMOS EEPROM (64K (8K x 8) CMOS EEPROM)
.型号:   28C64AT-20I/L
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描述: 64K ( 8K ×8 )的CMOS EEPROM
64K (8K x 8) CMOS EEPROM
文件大小 :   132 K    
页数 : 10 页
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品牌   MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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100%
28C64A
表1-4:
字节写AC特性
AC测试波形:
输出负载:
输入上升/下降时间:
环境温度:
参数
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
把脉冲宽度
写脉冲高电平时间
OE保持时间
OE建立时间
数据有效时间
时间到设备忙
写周期时间(
28C64A
)
写周期时间(
28C64A
F)
符号
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
WPL
t
WPH
t
OEH
t
OES
t
DV
t
DB
t
WC
t
WC
10
50
50
10
100
50
10
10
2
V
IH
= 2.4V; V
IL
= 0.45V; V
OH
= 2.0V; V
OL
= 0.8V
1 TTL负载+ 100 pF的
20纳秒
商业( C) :
环境温度Tamb = 0°C至+ 70°C
产业
(I):
环境温度Tamb = -40°C至+ 85°C
最大
1000
50
1
200
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
µs
0.5毫秒的典型
100
µs
典型
注2
注1
备注
注1 :在写周期可以启动具有CE或WE变低​​,最后的为准。该数据被锁存的POS-
可持续的竞争优势WE,以先到为准科幻RST 。
2 :数据必须在最大1000ns最大有效。之后开始写周期,并且必须是稳定的,至少直到吨
DH
WE或CE的上升沿后,以先到为准科幻RST 。
图1-2:
编程波形
V
IH
地址
V
IL
V
IH
CE, WE
V
IL
t
DV
DATA IN
V
IH
V
IL
t
OES
V
IH
OE
V
IL
t
OEH
V
OH
RDY / BUSY
V
OL
t
WC
t
DB
准备
t
DS
t
AS
t
AH
t
WPL
t
DH
DS11109K第4页
2004年Microchip的科技公司
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