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IRG4PE40SD  LM2675N-ADJ  IRG4PC60UPBF  LM2678SD-12  IRG4PG40MD  LM2678SD-ADJ  IRG4PE40FD  IRG4PC50UPBF  LM2678  IRG4PH30KDPBF  
PIC16LCR72-20I/JW 8位CMOS微控制器与A / D转换器 (8-Bit CMOS Microcontrollers with A/D Converter)
.型号:   PIC16LCR72-20I/JW
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描述: 8位CMOS微控制器与A / D转换器
8-Bit CMOS Microcontrollers with A/D Converter
文件大小 :   1359 K    
页数 : 124 页
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品牌   MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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100%
PIC16C72系列
2.2.2.1
状态寄存器
在状态寄存器,如图2-3所示,包括
ALU的算术运算状态,复位状态和
银行选择位数据存储器。
STATUS寄存器可以是目的地的任何
指令,与任何其他寄存器。如果STATUS
寄存器作为目标的影响的指令
的Z, DC或C位,那么写这三位是
禁用。这些位是根据设置或清除
器件的逻辑。此外,TO和PD位是不可
可写。同的指令,因此,其结果
状态寄存器作为目标可能会比不同
意。
例如,
CLRF STATUS
将清除上三
位,并将Z位。这将使状态寄存器
as
000u u1uu
(其中
u
=不变) 。
建议的,因此,只
BCF , BSF ,
SWAPF
MOVWF
指令来改变
状态寄存器,因为这些指令不
从影响状态寄存器中的Z, C或DC位。为
其他指令,不影响任何状态位,看
"Instruction集Summary."
注1 :
这些设备不使用位IRP和
RP1 ( STATUS<7 : 6> ) 。保持这些位
明确以确保与向上兼容
未来的产品。
注2 :
C和DC位的借位
和半借位,分别在子
牵引。见
SUBLW
SUBWF
说明例子。
图2-3:
R/W-0
IRP
bit7
状态寄存器(地址03H , 83H )
R/W-0
RP0
R-1
TO
R-1
PD
R / W -X
Z
R / W -X
DC
R / W -X
C
bit0
R/W-0
RP1
R =可读位
W =可写位
U =未实现位,
读为' 0 '
- n =上电复位值
第7位:
IRP :
寄存器组选择位(用于间接寻址)
1 = 2银, 3 ( 100H - 1FFh的)
0 =银行0 , 1 ​​( 00H - FFH )
位6-5 :
RP1 : RP0 :
寄存器组选择位(用于直接寻址)
11
银行= 3 ( 180H - 1FFh的)
10
银行= 2 ( 100H - 17Fh )
01
银行= 1 ( 80H - FFH )
00
=银行0 ( 00H - 7Fh的)
每家银行的128个字节。对于只有0和1寄存器组的器件, IRP位是保留的。始终保持
该位清零。
位4:
要:
超时位
1 =上电后,
CLRWDT
指令,或
睡觉
指令
0 =发生了WDT超时
PD :
掉电位
1 =在上电或由
CLRWDT
指令
0 =执行的
睡觉
指令
Z:
零位
1 =算术运算或逻辑运算的结果是零
0 =算术运算或逻辑运算的结果不为零
DC :
半进位/借位( ADDWF ,
ADDLW , SUBLW , SUBWF
指令) (用于借极性是相反的)
1 =运算出结果的发生的第4低位
0 =未发生进从结果的第4低位
C:
进位/借位( ADDWF ,
ADDLW , SUBLW , SUBWF
说明)
1 =运算出结果的发生的最显着的位
0 =未发生进结果的最显着的一点发生
注:对于借位,极性是相反的。减法是通过加上2的补码的执行
第二个操作数。对于移位( RRF ,
RLF )
说明,此位装有高位或低位的位
源寄存器。
位3:
位2:
位1 :
位0:
©
1998年Microchip的科技公司
初步
DS39016A第9页
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