电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
ST1825CG8R2F501  ST1825CG223D631  ST1825CG8R2B201  ST1825CG8R2K251  ST1825CG101G631  ST1825XR104J631  ST1825CG101F501  ST1825CG8R2M201  ST1825XR223K201  ST1825CG223F101  
TC1303B-CH0EUNTR ,500 mA同步降压稳压器, + 300毫安LDO与电源就绪输出 (500 mA Synchronous Buck Regulator, + 300 mA LDO with Power-Good Output)
.型号:   TC1303B-CH0EUNTR
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: ,500 mA同步降压稳压器, + 300毫安LDO与电源就绪输出
500 mA Synchronous Buck Regulator, + 300 mA LDO with Power-Good Output
文件大小 :   581 K    
页数 : 30 页
Logo:   
品牌   MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
购买 :   
  浏览型号TC1303B-CH0EUNTR的Datasheet PDF文件第1页 浏览型号TC1303B-CH0EUNTR的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号TC1303B-CH0EUNTR的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号TC1303B-CH0EUNTR的Datasheet PDF文件第4页 浏览型号TC1303B-CH0EUNTR的Datasheet PDF文件第6页 浏览型号TC1303B-CH0EUNTR的Datasheet PDF文件第7页 浏览型号TC1303B-CH0EUNTR的Datasheet PDF文件第8页 浏览型号TC1303B-CH0EUNTR的Datasheet PDF文件第9页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
TC1303B
直流特性(续)
电气特性:
V
IN1
=V
IN2
= SHDN1,2 = 3.6V ,C
OUT1
= C
IN
= 4.7 μF ,C
OUT2
= 1μF , L = 4.7 μH ,V
OUT1
( ADJ ) = 1.8V ,
I
OUT1
= 100毫安,我
OUT2
= 0.1毫安牛逼
A
= +25°C.
粗体
规格适用于经t
A
范围
-40 ° C至+ 85°C 。
参数
符号
典型值
最大
单位
条件
同步降压稳压器(V
OUT1
)
可调输出电压范围
可调参考反馈
电压(V
FB1
)
反馈输入偏置电流
(I
FB1
)
输出电压容差修正
(V
OUT1
)
线路调整率(V
OUT1
)
负载稳定度( V
OUT1
)
输入输出电压差V
OUT1
内部振荡器频率
启动时间
R
DSON
P沟道
R
DSON
N沟道
L
X
引脚漏电流
正电流限制门限
LDO输出(V
OUT2
)
输出电压容差(V
OUT2
)
温度COEF网络cient
线路调整
负载调整率,V
OUT2
2.5V
负载调整率,V
OUT2
& LT ; 2.5V
输入输出电压差V
OUT2
& GT ; 2.5V
电源抑制比
输出噪声
输出短路电流
(平均)
注1 :
2:
3:
4:
5:
6:
V
OUT2
TCV
OUT
ΔV
OUT2
/
ΔV
IN
ΔV
OUT2
/
I
OUT2
ΔV
OUT2
/
I
OUT2
V
IN
– V
OUT2
PSRR
eN
I
OUTsc2
-2.5
-0.2
-0.75
-0.90
±0.3
25
±0.02
0.1
0.1
137
205
62
1.8
240
+2.5
+0.2
+0.75
+0.90
300
500
%
PPM /°C的
%/V
%
%
mV
dB
μV/ (赫兹)
�½
mA
(V
R
+1V)
V
IN
5.5V
I
OUT2
= 0.1 mA至300毫安(注
I
OUT2
= 0.1 mA至300毫安(注
I
OUT2
= 200 MA(注
I
OUT2
= 300毫安
f
100Hz时,我
OUT1
= I
OUT2
= 50毫安,
C
IN
= 0 µF
f
1 kHz时,我
OUT2
= 50毫安,
SHDN1 = GND
R
LOAD2
V
OUT1
V
FB1
I
VFB1
V
OUT1
V
LINE- REG
V
负载REG
V
IN
– V
OUT1
F
OSC
T
SS
R
DSON -P
R
DSON -N
I
LX
+I
LX (MAX)中
0.8
0.78
-2.5
1.6
-1.0
0.8
-1.5
±0.3
0.2
0.2
280
2.0
0.5
450
450
±0.01
700
4.5
0.82
+2.5
2.4
650
650
1.0
V
V
nA
%
%/V
%
mV
兆赫
ms
μA
mA
T
R
= 10 %〜90%
I
P
-100毫安
I
N
-100毫安
SHDN = 0V ,V
IN
= 5.5V ,L
X
= 0V,
L
X
= 5.5V
V
IN
=V
R
+ 1V至5.5V ,
I
负载
= 100毫安
V
IN
= V
R
+ 1.5V ,我
负载
= 100 mA至
500毫安(注
1)
I
OUT1
= 500毫安, V
OUT1
= 3.3V
7:
8:
最小V
IN
必须满足两个条件: V
IN
2.7V和V
IN
V
RX
+ V
差,
V
RX
= V
R1
或V
R2
.
V
RX
是稳压器输出电压设定。
TCV
OUT2
= ((V
OUT2max
– V
OUT2min
) * 10
6
)/(V
OUT2
* D
T
).
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度测试
在负载范围内0.1 mA至规定的最大输出电流。
电压差定义为输入,输出电压差,当输出电压下降到低于2%,其
在1V的差分测量的标称值。
允许的最大功耗是环境温度的函数,最大允许结
温度和结点到空气热阻。 (即牛逼
A
, T
J
,
θ
JA
) 。超过最大允许功耗
散热导致器件触发热关断。
集成的MOSFET开关从L一体化二极管
X
引脚到V
IN
和由L-
X
以P
GND
。的情况下
这些二极管正向偏置时,封装的功耗限制,必须坚持。热保护是不
能够限制结温为这些情况。
V
IN1
和V
IN2
用相同的输入源被提供。
©
2005年Microchip的科技公司
DS21949A第5页
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7