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电子元器件数据表 IC PDF查询 |
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| MB82DP02183F-65L MB82DP02183F MB82DP02183F-65LTBG MB82DBS08164D-70L | ||||||||||
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 TC1303B 直流特性（续） 电气特性： V IN1 =V IN2 = SHDN1,2 = 3.6V ，C OUT1 = C IN = 4.7 μF ，C OUT2 = 1μF ， L = 4.7 μH ，V OUT1 （ ADJ ） = 1.8V ， I OUT1 = 100毫安，我 OUT2 = 0.1毫安牛逼 A = +25°C. 粗体 规格适用于经t A 范围 -40 ° C至+ 85°C 。 参数 唤醒时间（从SHDN2 模式），（Ⅴ OUT2 ) 稳定时间（从SHDN2 模式），（Ⅴ OUT2 ) 电源良好 电压范围PG V PG 1.0 1.2 — 89 — — — 140 — 5.5 5.5 96 — — — — 560 V T A = 0 ° C至+ 70°C T A = -40 ° C至+ 85°C V IN ≤ 2.7 I SINK = 100 µA 瑞星V OUT1 或V OUT2 V 的OUTx = V OUT1 或V OUT2 上落V OUT1 或V OUT2 V 的OUTx = V OUT1 或V OUT2 V 的OUTx = V OUT1 或V OUT2 符号 t WK t S 民 — — 典型值 31 100 最大 100 — 单位 µs µs 条件 I OUT1 = I OUT2 = 50毫安 I OUT1 = I OUT2 = 50毫安 PG阈值高 (V OUT1 或V OUT2 ) PG阈值低 (V OUT1 或V OUT2 ) PG阈值迟滞 (V OUT1 和V OUT2 ) PG阈值温度系数 PG延迟 PG主动超时周期 V TH-H V TH-L V TH_HYS ΔV TH /ΔT t RPD t RPU 94 92 2 30 165 262 ％的 V 的OUTx ％的 V 的OUTx ％的 V 的OUTx PPM /°C的 µs ms V OUT1 或V OUT2 = (V TH + 100毫伏） 到（Ⅴ TH - 100毫伏） V OUT1 或V OUT2 = V TH - 100毫伏 到V TH + 100毫伏， I SINK = 1.2毫安 V OUT1 或V OUT2 = V TH - 100毫伏 , I PG = 1.2毫安V IN2 > 2.7V I PG = 100 μA ， 1.0V < V IN2 ＆ LT ; 2.7V V OUT1 或V OUT2 = V TH + 100毫伏 V OUT2 ≥ 1.8V ，我 PG = - 500 µA V OUT2 < 1.8V ，我 PG = - 300 µA PG输出电压低 PG_V OL — — 0.2 V PG输出电压高 PG_V OH 0.9* V OUT2 — — V 注1 ： 2: 3: 4: 5: 6: 7: 8: 最小V IN 必须满足两个条件： V IN ≥ 2.7V和V IN ≥ V RX + V 差， V RX = V R1 或V R2 . V RX 是稳压器输出电压设定。 TCV OUT2 = ((V OUT2max – V OUT2min ) * 10 6 )/(V OUT2 * D T ). 调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度测试 在负载范围内0.1 mA至规定的最大输出电流。 电压差定义为输入，输出电压差，当输出电压下降到低于2％，其 在1V的差分测量的标称值。 允许的最大功耗是环境温度的函数，最大允许结 温度和结点到空气热阻。 （即牛逼 A , T J , θ JA ） 。超过最大允许功耗 散热导致器件触发热关断。 集成的MOSFET开关从L一体化二极管 X 引脚到V IN 和由L- X 以P GND 。的情况下 这些二极管正向偏置时，封装的功耗限制，必须坚持。热保护是不 能够限制结温为这些情况。 V IN1 和V IN2 用相同的输入源被提供。 DS21949A第6页 © 2005年Microchip的科技公司
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