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TC1303B
，500 mA同步降压稳压器，
+ 300毫安LDO与电源就绪输出
特点
•双输出稳压器（ 500毫安降压稳压器
300 mA低压降稳压器）
•电源良好输出300毫秒延迟
•器件总静态电流为65 μA ，典型值。
•用于降压和LDO独立的关断
输出
•两个输出内部补偿
•同步降压稳压器：
- 超过90％的典型效率
- 2.0 MHz的固定频率PWM
（重负荷）
- 低输出噪声
- 自动PWM到PFM模式的转换
- 可调节（ 0.8V至4.5V ）和固定标准
输出电压（ 0.8V ， 1.2V ， 1.5V ， 1.8V ， 2.5V ，
3.3V)
•低压差稳压器：
- 低压差电压= 137 mV的典型。 @
200毫安
- 标准固定输出电压
(1.5V, 1.8V, 2.5V, 3.3V)
•电源良好功能：
- 监控LDO输出功能（ TC1303B ）
- 300毫秒的延迟用于处理器复位
•小型10引脚3X3 DFN或MSOP封装
选项
•工作结温范围：
- -40 ° C至+ 125°C
•欠压锁定（UVLO ）
•输出短路保护
•过温保护
描述
在TC1303B结合了，500 mA同步降压
稳压器和300 mA低压降稳压器（ LDO ）
一个电源良好监视提供高度
对于需要多个器件集成解决方案
电源电压。的一个独特的组合
集成的降压型开关稳压器和低压差
线性稳压器提供了系统成本最低
双输出电压的应用需要一个下
处理器内核电压和一个较高的偏置电压。
500 mA同步降压稳压器的开关频率为一
2.0兆赫频率固定时的负载重
提供一种低噪音，小尺寸的解决方案。当
负载上的降压输出减少到光的水平，它
器件转换为脉冲频率调制
（ PFM ）模式，以最大限度地降低静态电流
电池。不干预是必要的顺利
从一种模式到另一种的过渡。
该LDO提供了一个300毫安辅助输出
需要一个1 μF陶瓷输出电容，
最大限度地减少电路板面积和成本。典型的压差
电压LDO输出为137毫伏电流为200 mA
负载。
对于TC1303B ，电源良好输出逻辑电平为
仅基于LDO输出的调节。该
降压型稳压器可以打开和关闭，而不会影响
电源良好信号。
在TC1303B可在任一10引脚DFN或
MSOP封装。
其他保护功能包括：欠压锁定，
过热和过流保护两种保护
输出。
对于TC1303B标准件的完整列表，连续的
咨询您的Microchip代表。
应用
•
•
•
•
•
手机
手提电脑
USB供电的设备
手持式医疗仪器
组织者和掌上电脑
套餐类型
10引线DFN
SHDN2 1
V
IN2
2
V
OUT2
3
第4页
A
GND
5
10 P
GND
9 L
X
8 V
IN1
7 SHDN1
6 V
FB1
/V
OUT1
10引脚MSOP
SHDN2 1
V
IN2
2
V
OUT2
3
第4页
A
GND
5
10 P
GND
9 L
X
8 V
IN1
7 SHDN1
6 V
FB1
/V
OUT1
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TC1303B
功能框图
V
REF
欠压锁定
（ UVLO ）
UVLO
同步降压稳压器
V
IN1
V
IN2
PDRV
L
X
SHDN1
控制
司机
NDRV
P
GND
P
GND
V
OUT1
/V
FB1
P
GND
A
GND
PG
TC1303B
PG发生器，延迟
V
REF
UVLO
V
OUT2
LDO
SHDN2
A
GND
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TC1303B
典型应用电路
TC1303B
固定输出应用
10引脚MSOP
4.7µH
V
IN
2.7V至4.2V
4.7 µF
8
2
7
1
4
处理器
RESET
V
IN1
V
IN2
SHDN1
SHDN2
PG
L
X
9
4.7 µF
P
GND
10
V
OUT1
V
OUT2
A
GND
6
3
5
1 µF
V
OUT2
2.5V @ 300毫安
V
OUT1
1.5V @ 500毫安
TC1303B
可调输出应用
10引线DFN
输入
电压
4.5V至5.5V
*可选
电容
V
IN2
1.0 µF
4.7 µH
8
4.7 µF
2
7
1
4
处理器
RESET
V
IN1
V
IN2
SHDN1
SHDN2
PG
L
X
9
4.7 µF
200 k
Ω
V
OUT2
1 µF
3.3V @
300毫安
4.99 k
Ω
33 pF的
121 k
Ω
P
GND
10
V
OUT1
6
V
OUT2
A
GND
3
5
记
V
OUT1
2.1V @
500毫安
注意：
连接DFN封装裸露焊盘到A
GND
.
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TC1303B
1.0
电动
特征
†注意：
上面讲的那些最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范运作上市，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值†
V
IN
- A
GND
......................................................................6.0V
所有其它I / O .............................. （A
GND
- 0.3V ）至（v
IN
+ 0.3V)
L
X
以P
GND
.............................................. -0.3V到（V
IN
+ 0.3V)
P
GND
到A
GND
.................................................. 。 -0.3V至+ 0.3V
输出短路电流.................................连续
功率耗散（注
7)
..........................内部限制
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度。与电源应用.................- 40 ° C至+ 85°C
工作结温...................- 40 ° C至+ 125°C
所有引脚的ESD保护（ HBM ）
.......................................
3千伏
DC特性
电气特性：
V
IN1
=V
IN2
= SHDN1,2 = 3.6V ，C
OUT1
= C
IN
= 4.7 μF ，C
OUT2
= 1μF ， L = 4.7 μH ，V
OUT1
（ ADJ ） = 1.8V ，
I
OUT1
= 100毫安，我
OUT2
= 0.1毫安牛逼
A
= +25°C.
粗体
规格适用于经t
A
范围
-40 ° C至+ 85°C 。
参数
输入/输出特性
输入电压
最大输出电流
最大输出电流
关断电流
组合V
IN1
和V
IN2
当前
TC1303B工作我
Q
同步降压我
Q
我LDO
Q
+电压监视I
Q
SHDN1,SHDN2,
逻辑输入电压低
SHDN1,SHDN2,
逻辑输入电压高
SHDN1,SHDN2,
输入漏电流
热关断
热关断迟滞
欠压锁定
(V
OUT1
和V
OUT2
)
欠压闭锁滞后
注1 ：
2:
3:
4:
5:
6:
V
IL
V
IH
I
IN
V
IN
I
OUT1_MAX
I
OUT2_MAX
I
IN_SHDN
I
Q
2.7
500
300
—
—
—
—
—
45
-1.0
—
—
—
0.05
65.0
38
46
—
—
±0.01
5.5
—
—
1
110
—
—
15
—
1.0
V
mA
mA
µA
µA
µA
µA
%V
IN
%V
IN
µA
注1 ，注2 ，注8
注1
注1
SHDN1 = SHDN2 = GND
SHDN1 = SHDN2 = V
IN2
I
OUT1
= 0 mA时，我
OUT2
= 0毫安
SHDN1 = V
IN
， SHDN2 = GND
SHDN1 = GND ， SHDN2 = V
IN2
V
IN1
=V
IN2
= 2.7V至5.5V
V
IN1
=V
IN2
= 2.7V至5.5V
V
IN1
=V
IN2
= 2.7V至5.5V
SHDNX = GND
SHDNY = V
IN
注6 ，注7
V
IN1
落下
符号
民
典型值
最大
单位
条件
停机/ UVLO /热关断特性
T
SHD
T
SHD- HYS
UVLO
UVLO
-
HYS
—
—
2.4
—
165
10
2.55
200
—
—
2.7
—
°C
°C
V
mV
7:
8:
最小V
IN
必须满足两个条件： V
IN
≥
2.7V和V
IN
≥
V
RX
+ V
差，
V
RX
= V
R1
或V
R2
.
V
RX
是稳压器输出电压设定。
TCV
OUT2
= ((V
OUT2max
– V
OUT2min
) * 10
6
)/(V
OUT2
* D
T
).
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度测试
在负载范围内0.1 mA至规定的最大输出电流。
电压差定义为输入，输出电压差，当输出电压下降到低于2％，其
在1V的差分测量的标称值。
允许的最大功耗是环境温度的函数，最大允许结
温度和结点到空气热阻。 （即牛逼
A
, T
J
,
θ
JA
） 。超过最大允许功耗
散热导致器件触发热关断。
集成的MOSFET开关从L一体化二极管
X
引脚到V
IN
和由L-
X
以P
GND
。的情况下
这些二极管正向偏置时，封装的功耗限制，必须坚持。热保护是不
能够限制结温为这些情况。
V
IN1
和V
IN2
用相同的输入源被提供。
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TC1303B
直流特性（续）
电气特性：
V
IN1
=V
IN2
= SHDN1,2 = 3.6V ，C
OUT1
= C
IN
= 4.7 μF ，C
OUT2
= 1μF ， L = 4.7 μH ，V
OUT1
（ ADJ ） = 1.8V ，
I
OUT1
= 100毫安，我
OUT2
= 0.1毫安牛逼
A
= +25°C.
粗体
规格适用于经t
A
范围
-40 ° C至+ 85°C 。
参数
符号
民
典型值
最大
单位
条件
同步降压稳压器（V
OUT1
)
可调输出电压范围
可调参考反馈
电压（V
FB1
)
反馈输入偏置电流
(I
FB1
)
输出电压容差修正
(V
OUT1
)
线路调整率（V
OUT1
)
负载稳定度（ V
OUT1
)
输入输出电压差V
OUT1
内部振荡器频率
启动时间
R
DSON
P沟道
R
DSON
N沟道
L
X
引脚漏电流
正电流限制门限
LDO输出（V
OUT2
)
输出电压容差（V
OUT2
)
温度COEF网络cient
线路调整
负载调整率，V
OUT2
≥
2.5V
负载调整率，V
OUT2
＆ LT ; 2.5V
输入输出电压差V
OUT2
＆ GT ; 2.5V
电源抑制比
输出噪声
输出短路电流
（平均）
注1 ：
2:
3:
4:
5:
6:
V
OUT2
TCV
OUT
ΔV
OUT2
/
ΔV
IN
ΔV
OUT2
/
I
OUT2
ΔV
OUT2
/
I
OUT2
V
IN
– V
OUT2
PSRR
eN
I
OUTsc2
-2.5
—
-0.2
-0.75
-0.90
—
—
—
—
±0.3
25
±0.02
0.1
0.1
137
205
62
1.8
240
+2.5
—
+0.2
+0.75
+0.90
300
500
—
—
—
%
PPM /°C的
%/V
%
%
mV
dB
μV/ （赫兹）
�½
mA
注2
注3
(V
R
+1V)
≤
V
IN
≤
5.5V
I
OUT2
= 0.1 mA至300毫安（注
4)
I
OUT2
= 0.1 mA至300毫安（注
4)
I
OUT2
= 200 MA（注
5)
I
OUT2
= 300毫安
f
≤
100Hz时，我
OUT1
= I
OUT2
= 50毫安，
C
IN
= 0 µF
f
≤
1 kHz时，我
OUT2
= 50毫安，
SHDN1 = GND
R
LOAD2
≤
1Ω
V
OUT1
V
FB1
I
VFB1
V
OUT1
V
LINE- REG
V
负载REG
V
IN
– V
OUT1
F
OSC
T
SS
R
DSON -P
R
DSON -N
I
LX
+I
LX （MAX）中
0.8
0.78
—
-2.5
—
—
—
1.6
—
—
—
-1.0
—
—
0.8
-1.5
±0.3
0.2
0.2
280
2.0
0.5
450
450
±0.01
700
4.5
0.82
—
+2.5
—
—
—
2.4
—
650
650
1.0
—
V
V
nA
%
%/V
%
mV
兆赫
ms
mΩ
mΩ
μA
mA
T
R
= 10 ％〜90％
I
P
-100毫安
I
N
-100毫安
SHDN = 0V ，V
IN
= 5.5V ，L
X
= 0V,
L
X
= 5.5V
注2
V
IN
=V
R
+ 1V至5.5V ，
I
负载
= 100毫安
V
IN
= V
R
+ 1.5V ，我
负载
= 100 mA至
500毫安（注
1)
I
OUT1
= 500毫安， V
OUT1
= 3.3V
（注
5)
7:
8:
最小V
IN
必须满足两个条件： V
IN
≥
2.7V和V
IN
≥
V
RX
+ V
差，
V
RX
= V
R1
或V
R2
.
V
RX
是稳压器输出电压设定。
TCV
OUT2
= ((V
OUT2max
– V
OUT2min
) * 10
6
)/(V
OUT2
* D
T
).
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度测试
在负载范围内0.1 mA至规定的最大输出电流。
电压差定义为输入，输出电压差，当输出电压下降到低于2％，其
在1V的差分测量的标称值。
允许的最大功耗是环境温度的函数，最大允许结
温度和结点到空气热阻。 （即牛逼
A
, T
J
,
θ
JA
） 。超过最大允许功耗
散热导致器件触发热关断。
集成的MOSFET开关从L一体化二极管
X
引脚到V
IN
和由L-
X
以P
GND
。的情况下
这些二极管正向偏置时，封装的功耗限制，必须坚持。热保护是不
能够限制结温为这些情况。
V
IN1
和V
IN2
用相同的输入源被提供。
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