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CY7C1354CV25-167BGI  CY7C1354CV25-167BGXI  CY7C1354C-200AXI  CY7C1354CV25-167AXC  CY7C1354C-200AXC  CY7C1354CV25-167BGC  CY7C1354C-200BGC  CY7C1354CV25  CY7C1354CV25-167BGXC  CY7C1354CV25-167AXI  
TC1427COA 1.2A双路高速MOSFET驱动器 (1.2A Dual High-Speed MOSFET Drivers)
.型号:   TC1427COA
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描述: 1.2A双路高速MOSFET驱动器
1.2A Dual High-Speed MOSFET Drivers
文件大小 :   768 K    
页数 : 16 页
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品牌   MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
购买 :   
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100%
TC1426/TC1427/TC1428
4.0
注意:
典型特征
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
下降时间与电源电压
330
T
A
= +25°C
上升时间与电源电压
550
440
时间(纳秒)
时间(纳秒)
延迟时间与电源电压
80
C
L
= 1000 pF的
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
264
万pF的
时间(纳秒)
70
330
198
万pF的
60
220
4700 pF的
110
2200 pF的
132
4700 pF的
66
2200 pF的
50
t
D1
40
t
D2
0
5
7
9
11
V
DD
(V)
13
15
0
5
7
9
11
V
DD
(V)
13
15
30
5
7
11
9
V
DD
(V)
13
15
上升和下降时间与温度的关系
40
C
L
= 1000 pF的
V
DD
= +15V
t
上升
延迟时间与温度的关系
60
C
L
= 1000 pF的
V
DD
= +15V
电源电流(mA )
电源电流与容性负载
30
C
L
= 1000 pF的
V
DD
= +15V
T
A
= +25°C
32
时间(纳秒)
54
时间(纳秒)
500千赫
24
24
t
秋天
48
t
D2
18
200千赫
16
42
t
D1
12
20千赫
8
36
6
0
0
25
0
45
65
85
105
温度(℃)
125
25
45
65
85
105
温度(℃)
125
100
520
940 1360 1780
容性负载(PF )
2200
上升时间与容性负载
1000
T
A
= +25°C
下降时间 - 容性负载
1000
T
A
= +25°C
电源电流与频率的关系
100
C
L
= 1000 pF的
T
A
= +25°C
V
DD
= 15V
V
DD
= 10V
电源电流(mA )
80
时间(纳秒)
时间(纳秒)
5
V
DD
100
10
V
DD
100
10
V
DD
5
V
DD
60
40
15
V
DD
15V
DD
10
100
20
V
DD
= 5V
0
10
10
100
1000
容性负载(PF )
10,000
10,000
1000
容性负载(PF )
100
1000
频率(kHz )
10,000
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DS21393D第7页
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