MAX34334CSE 第1页-第5页 PDF中文翻译页面详情预览
TCM809/TCM810
3引脚微控制器复位监视器
特点
•精密V
DD
监控2.5V , 3.0V , 3.3V , 5.0V
标称系统电压供应
• 140毫秒最小复位超时周期
• RESET输出到V
DD
= 1.0V ( TCM809 )
•低电源电流, 9 μA (典型值)。
• V
DD
瞬态抗扰度
•小型3引脚SC -70和SOT- 23B封装
•无需外部元件
•推挽复位输出
•温度范围:
- 工业, SC- 70 ( E) : -40°C至+ 85°C
- 扩展, SOT -23 , SC - 70 ( V) : -40 ° C至+ 125°C
概述
在TCM809和TCM810具有成本效益的系统
监控电路用来监视V
DD
在数字
系统,并提供一个复位信号给主机proces-
SOR ,必要的时候。无需外部元件
所需。
RESET输出通常是驱动为有效范围内
65微秒的V
DD
落下穿过复位电压阈值
老了。 RESET保持积极最少
140毫秒后V
DD
上升到高于复位门限。
在TCM810具有高电平有效复位输出,而
在TCM809有一个低电平有效复位输出。在输出
投放TCM809 / TCM810的有效下降到V
DD
= 1V.
两款器件都采用3引脚SC -70和SOT- 23B
包。
在TCM809 / TCM810经过优化,拒绝快
在V瞬态毛刺
DD
线。低电源电流
9 μA (典型值,V
DD
= 3.3V ) ,使这些器件适合
对于电池供电的应用。
应用
电脑
嵌入式系统
电池供电设备
关键的微控制器电源监控
汽车
销刀豆网络gurations
SOT-23B/SC-70
典型应用电路
V
DD
3
V
DD
V
DD
的PICmicro
®
微控制器
2
RESET
输入
(低电平有效)
GND
TCM809
RESET
TCM810
( RESET )
2
GND 1
TCM809/
TCM810
3
V
DD
TCM809
RESET
GND
1
注意:
3引脚SOT- 23B是相当于
JEDEC TO- 236 。
2004年Microchip的科技公司
DS21661C第1页
TCM809/TCM810
1.0
电动
特征
引脚功能表
名字
功能
地面上。
绝对最大额定值?
电源电压(V
DD
到GND) .......................................... 6.0V
复位,复位.................................... - 0.3V至(V
DD
+0.3V)
输入电流,V
DD
.................................................. ....... 20毫安
输出电流,复位,复位................................... 20毫安
的dV / dt (V
DD
) ................................................. ............ 100V /微秒
工作温度范围.................... - 40 ° C至+ 125°C
功率耗散(T
A
= 70°C):
3引脚SOT- 23B (减免4毫瓦/ ° C以上+ 70 ° C) ...... 320毫瓦
3引脚SC -70 (降额2.17毫瓦/ ° C以上+ 70 ° C) ...... 174毫瓦
存储温度范围....................... - 65 ° C至+ 150°C
最高结温,T
J
.............................. 150°C
†注意:
强调上述“最大额定值”,可能
对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该装置的这些或任何其他条件的功能操作
以上这些在本规范的运作上市表明是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,其围
消耗臭氧层物质可能会影响器件的可靠性。
GND
RESET ( TCM809 )RESET推挽输出
仍然很低,而V
DD
以下是
复位电压阈值和
240毫秒( 140毫秒分钟。 )
经过V
DD
上升超过复位
门槛。
RESET ( TCM810 )RESET推挽输出
仍然很高,而V
DD
以下是
复位电压阈值和
240毫秒( 140毫秒分钟。 )
经过V
DD
上升超过复位
门槛。
V
DD
电源电压( + 2.5V , + 3.0V ,
+3.3V, +5.0V).
电气特性
V
DD
=全系列,T
A
=工作温度范围,除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C,
V
DD
= 5V为L / M / J , 3.3V为T / S, 3.0V为R和2.5V Z的
(注1 ) 。
参数
V
DD
范围
电源电流
I
CC
V
TH
符号
1.0
1.2
复位门限
(注2 )
4.56
4.50
4.31
4.25
3.93
3.89
3.04
3.00
2.89
2.85
2.59
2.55
2.28
2.25
复位门限温度系数
V
DD
到复位延迟,
复位有效超时
140
典型值
12
9
4.63
4.38
4.00
3.08
2.93
2.63
2.32
30
65
320
最大
5.5
5.5
30
25
4.70
4.75
4.45
4.50
4.06
4.10
3.11
3.15
2.96
3.00
2.66
2.70
2.35
2.38
560
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
PPM /°C的
微秒
毫秒
V
DD
= V
TH
到(Ⅴ
TH
- 100毫伏)
(注2 )
TCM8xxZ :
TCM8xxR :
TCM8xxS :
TCM8xxT :
TCM809J :
TCM8xxM :
V
µA
单位
V
测试条件
T
A
= 0 ° C至+ 70°C
T
A
= - 40 ° C至+ 125°C
TCM8xxL / M / J :
TCM8xxR / S / T / Z :
TCM8xxL :
V
DD
& LT ; 5.5V
V
DD
& LT ; 3.6V
T
A
= +25°C
T
A
= - 40 ° C至+ 125°C
T
A
= +25°C
T
A
= - 40 ° C至+ 125°C
T
A
= +25°C
T
A
= - 40 ° C至+ 125°C
T
A
= +25°C
T
A
= - 40 ° C至+ 125°C
T
A
= +25°C
T
A
= - 40 ° C至+ 125°C
T
A
= +25°C
T
A
= - 40 ° C至+ 125°C
T
A
= +25°C
T
A
= - 40 ° C至+ 125°C
注1 :
做在T生产测试
A
= + 25 ° C,通过QC屏幕保证了过热的限制。
2:
RESET输出
TCM809,
RESET输出
TCM810.
DS21661C第2页
2004年Microchip的科技公司
TCM809/TCM810
电气特性(续)
V
DD
=全系列,T
A
=工作温度范围,除非另有说明。典型值是在T
A
= +25°C,
V
DD
= 5V为L / M / J , 3.3V为T / S, 3.0V为R和2.5V Z的
(注1 ) 。
参数
复位输出电压
低( TCM809 )
符号
V
OL
复位输出电压
高( TCM809 )
复位输出电压
低( TCM810 )
复位输出电压
高( TCM810 )
V
OH
V
OL
V
OH
0.8 V
DD
V
DD
– 1.5
0.8 V
DD
典型值
最大
0.3
0.4
0.3
0.3
0.4
V
V
V
单位
V
TCM809R / S / T / Z :
TCM809L / M / J :
测试条件
V
DD
= V
TH
分钟,我
SINK
= 1.2毫安
V
DD
= V
TH
分钟,我
SINK
= 3.2毫安
V
DD
> 1.0V ,我
SINK
= 50 µA
TCM809R / S / T / Z :
V
DD
& GT ; V
TH
马克斯,我
来源
= 500 µA
TCM809L / M / J :
V
DD
& GT ; V
TH
马克斯,我
来源
= 800 µA
TCM810R / S / T / Z : V
DD
= V
TH
马克斯,我
SINK
= 1.2毫安
TCM810L / M :
V
DD
= V
TH
马克斯,我
SINK
= 3.2毫安
1.8 < V
DD
& LT ; V
TH
分钟,我
来源
= 150 µA
注1 :
做在T生产测试
A
= + 25 ° C,通过QC屏幕保证了过热的限制。
2:
RESET输出
TCM809,
RESET输出
TCM810.
2004年Microchip的科技公司
DS21661C第3页
TCM809/TCM810
2.0
注意:
典型性能特性
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
18
TCM8xx / R / S / T / Z ,空载
16
14
12
10
V
DD
= 3V
8
6
4
2
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
0
-40
-20
0
20
40
60
温度(℃)
80
100
120
V
DD
= 1V
上电复位超时(微秒)
电源电流( μA )
350
300
250
200
150
100
50
V
DD
= 5V
450
400
温度(℃)
图2-1:
温度。
16
TCM8xx / L / M / J ,空载
14
12
电源电流( μA )
10
电源电流与
图2-3:
与温度的关系。
1.001
上电复位超时
V
DD
= 5V
归一化的复位门限
1
V
DD
= 3V
8
6
4
2
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
V
DD
= 1V
0.999
0.998
0.997
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
温度(℃)
温度(℃)
图2-2:
温度。
电源电流与
图2-4:
归复位
阈值与温度的关系。
DS21661C第4页
2004年Microchip的科技公司
TCM809/TCM810
3.0
3.1
应用信息
V
DD
瞬态抑制
曲线以上的组合被检测为一个
欠压或断电状态。瞬态免疫
角度讲可以通过添加在靠近电容器能够提高
邻近于V
DD
引脚TCM809 / TCM810的。
在TCM809 / TCM810提供准确V
DD
显示器 -
荷兰国际集团和复位在上电期间计时,断电和
掉电/凹陷的条件。这些器件还拒绝
负向瞬态脉冲干扰的电源支持
股线。图3-1显示了最大瞬态持续时间
化与最大负偏移(超速)的
瞬态抑制。持续时间和过的任何组合
驱动器中的曲线下在于不会产生复位
信号。
V
DD
V
TH
OVERDRIVE
3.2
复位信号的完整性在
掉电
长短
最大瞬态持续时间(微秒)
400
320
240
160
TCM8XXL/M/J
(SOT-23)
80
0
TCM8XXZ/R/S/T
(SOT-23)
T
A
= +25°C
在TCM809 RESET输出有效到V
DD
= 1.0V.
低于这个电压的输出变为"open税务局局长
cuit" ,不能吸收电流。这意味着CMOS
逻辑输入到单片机将悬浮在一个
不确定电压。大多数数字系统
完全关闭远高于此电压。
然而,在情况下复位必须main-
tained有效期至V
DD
= 0V ,一个下拉电阻必须
从RESET连接到地排出杂散
电容和保持输出为低电平(图3-2 ) 。这
电阻值,虽然不是关键的,应选择
使得它不会明显地加载有RESET下
正常操作(100 k将适合于最
应用程序)。类似地,一个上拉电阻到V
DD
is
为确保有效的高RESET所需TCM810
对于V
DD
低于1.0V 。
V
DD
V
DD
TCM809
RESET
R
1
100 kΩ
1
5
1000
100
复位比较OVERDRIVE
[V
TH
- V
DD
] (毫伏)
GND
130
V
DD
到复位延迟(微秒)
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
1
10
100
1000
TCM8XXZ/R/S/T
(SC-70)
TCM8XXL/M/J
(SC-70)
图3-2:
加的R
1
在TCM809的RESET输出保证
复位输出仍有效
V
DD
= 0V.
复位比较OVERDRIVE (MV )
[V
TH
- V
DD
] (毫伏)
图3-1:
最大瞬时
时间与毛刺抑制过激励的
+25°C.
2004年Microchip的科技公司
DS21661C第5页
相关元器件产品Datasheet PDF文档

TCM810LVNB713G

1-CHANNEL POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO3, PLASTIC, TO-236, SOT-23B, 3 PIN
0 MICROCHIP

TCM810LVNBG

暂无描述
0 MICROCHIP

TCM810LVNBTR

1-CHANNEL POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO3, SOT-23B, 3 PIN
0 MICROCHIP

TCM810MEB713

3-Pin Microcontroller Reset Monitors
21 MICROCHIP