1.2KE60C [MICROSEMI]

Trans Voltage Suppressor Diode, 1200W, 60V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon;
1.2KE60C
元器件型号: 1.2KE60C
生产厂家: MICROSEMI CORPORATION    MICROSEMI CORPORATION
描述和应用:

Trans Voltage Suppressor Diode, 1200W, 60V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon

局域网 二极管
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型号参数:1.2KE60C参数
是否Rohs认证不符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商MICROSEMI CORP
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8541.10.00.50
风险等级5.92
Is SamacsysN
最大击穿电压81.5 V
最小击穿电压66.7 V
击穿电压标称值74 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压107 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散1200 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压60 V
最大反向电流5 µA
子类别Transient Suppressors
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1