2N2857 [MICROSEMI]

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS; 射频与微波离散小功率三极管
2N2857
元器件型号: 2N2857
生产厂家: MICROSEMI CORPORATION    MICROSEMI CORPORATION
描述和应用:

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
射频与微波离散小功率三极管

晶体 晶体管 射频 微波 放大器
PDF文件: 总4页 (文件大小:86K)
下载文档:  下载PDF数据表文档文件
型号参数:2N2857参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Active
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8541.21.00.95
风险等级5.64
最大集电极电流 (IC)0.04 A
基于收集器的最大容量1.7 pF
集电极-发射极最大电压15 V
配置SINGLE
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDSO-N3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1