元器件型号: | 2N4367 |
生产厂家: | MICROSEMI CORPORATION |
描述和应用: | Silicon Controlled Rectifiers |
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型号参数:2N4367参数 | |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | MICROSEMI CORP |
零件包装代码 | TO-94 |
包装说明 | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.30.00.80 |
风险等级 | 5.21 |
配置 | SINGLE |
关态电压最小值的临界上升速率 | 100 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 100 mA |
最大直流栅极触发电压 | 5 V |
最大维持电流 | 200 mA |
JEDEC-95代码 | TO-209AC |
JESD-30 代码 | O-MUPM-H3 |
JESD-609代码 | e0 |
最大漏电流 | 10 mA |
通态非重复峰值电流 | 1600 A |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最大通态电流 | 70000 A |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
最大均方根通态电流 | 110 A |
断态重复峰值电压 | 1200 V |
重复峰值反向电压 | 1200 V |
子类别 | Silicon Controlled Rectifiers |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | HIGH CURRENT CABLE |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
触发设备类型 | SCR |
Base Number Matches | 1 |
Silicon Controlled Rectifiers
可控硅整流器器