元器件型号: | APTM10HM19FT3G |
生产厂家: | MICROSEMI CORPORATION |
描述和应用: | Full - Bridge MOSFET Power Module |
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型号参数:APTM10HM19FT3G参数 | |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
IHS 制造商 | MICROSEMI CORP |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25 |
针数 | 25 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 5.22 |
其他特性 | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 1500 mJ |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | COMPLEX |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (ID) | 70 A |
最大漏源导通电阻 | 0.021 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X25 |
JESD-609代码 | e1 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 4 |
端子数量 | 25 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 300 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN SILVER COPPER |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
Full - Bridge MOSFET Power Module
全 - 桥式MOSFET功率模块