APTM10HM19FT3G [MICROSEMI]

Full - Bridge MOSFET Power Module; 全 - 桥式MOSFET功率模块
APTM10HM19FT3G
元器件型号: APTM10HM19FT3G
生产厂家: MICROSEMI CORPORATION    MICROSEMI CORPORATION
描述和应用:

Full - Bridge MOSFET Power Module
全 - 桥式MOSFET功率模块

晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网
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型号参数:APTM10HM19FT3G参数
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期Active
IHS 制造商MICROSEMI CORP
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25
针数25
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
风险等级5.22
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)1500 mJ
外壳连接ISOLATED
配置COMPLEX
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)70 A
最大漏源导通电阻0.021 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XUFM-X25
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
元件数量4
端子数量25
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)300 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1