元器件型号: | JAN1N753BURTR |
生产厂家: | MICROSEMI CORPORATION |
描述和应用: | SILICON 400 mW ZENER DIODES |
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型号参数:JAN1N753BURTR参数 | |
生命周期 | Transferred |
IHS 制造商 | COBHAM PLC |
包装说明 | HERMETIC SEALED, LEADLESS, GLASS, LL34, MELF-2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.10.00.50 |
风险等级 | 5.7 |
Is Samacsys | N |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | ZENER DIODE |
JEDEC-95代码 | DO-213AA |
JESD-30 代码 | O-LELF-R2 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
极性 | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散 | 0.5 W |
认证状态 | Not Qualified |
参考标准 | MIL-19500/127 |
标称参考电压 | 6.2 V |
表面贴装 | YES |
技术 | ZENER |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | WRAP AROUND |
端子位置 | END |
最大电压容差 | 10% |
工作测试电流 | 20 mA |
Base Number Matches | 1 |
SILICON 400 mW ZENER DIODES
SILICON 400毫瓦齐纳二极管