元器件型号: | JAN1N968B-1 |
生产厂家: | MICROSEMI CORPORATION |
描述和应用: | Silicon 500 mW Zener Diodes |
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型号参数:JAN1N968B-1参数 | |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Active |
IHS 制造商 | MICROSEMI CORP |
零件包装代码 | DO-35 |
包装说明 | O-LALF-W2 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.10.00.50 |
风险等级 | 5.16 |
Is Samacsys | N |
其他特性 | METALLURGICALLY BONDED |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | ZENER DIODE |
JEDEC-95代码 | DO-35 |
JESD-30 代码 | O-LALF-W2 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性 | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散 | 0.5 W |
认证状态 | Qualified |
参考标准 | MIL-19500/117 |
标称参考电压 | 20 V |
表面贴装 | NO |
技术 | ZENER |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
最大电压容差 | 5% |
工作测试电流 | 6.2 mA |
Base Number Matches | 1 |
Silicon 500 mW Zener Diodes
硅500 mW的稳压二极管