元器件型号: | JANTX1N5313UR-1 |
生产厂家: | MICROSEMI CORPORATION |
描述和应用: | CURRENT REGULATOR DIODES |
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型号参数:JANTX1N5313UR-1参数 | |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Transferred |
IHS 制造商 | MICROSEMI CORP |
零件包装代码 | DO-213AB |
包装说明 | HERMETIC SEALED, GLASS, LL41, MELF-2 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.10.00.70 |
风险等级 | 5.38 |
其他特性 | METALLURGICALLY BONDED |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | CURRENT REGULATOR DIODE |
JEDEC-95代码 | DO-213AB |
JESD-30 代码 | O-LELF-R2 |
JESD-609代码 | e0 |
最大限制电压 | 2.75 V |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散 | 0.5 W |
认证状态 | Qualified |
参考标准 | MIL-19500 |
标称调节电流 (Ireg) | 4.3 mA |
表面贴装 | YES |
技术 | FIELD EFFECT |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WRAP AROUND |
端子位置 | END |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
CURRENT REGULATOR DIODES
稳流二极管