元器件型号: | LDTS30 |
生产厂家: | MICROSEMI CORPORATION |
描述和应用: | TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
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型号参数:LDTS30参数 | |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Transferred |
IHS 制造商 | MICROSEMI CORP |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.10.00.50 |
风险等级 | 5.66 |
最小击穿电压 | 33 V |
击穿电压标称值 | 33 V |
外壳连接 | ANODE |
最大钳位电压 | 48.5 V |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码 | TO-3 |
JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码 | e0 |
最大非重复峰值反向功率耗散 | 3000 W |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -50 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性 | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散 | 50 W |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 30 V |
最大反向电流 | 100 µA |
子类别 | Transient Suppressors |
表面贴装 | NO |
技术 | AVALANCHE |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |