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描述:
CY3764VP256-200YXC  NAND256R4A2CZB1  26-03-4125  CCL200DE2-AD  M2S56D30AKT-75AL  CCL200DC2-AD  LD1117DT12  1N3040CUR-1  CCL225DC2-AD  MX27C4096QC-10  
1N5419US 无空隙气密式表面安装快恢复整流二极管玻璃 (VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS)
.型号:   1N5419US
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描述: 无空隙气密式表面安装快恢复整流二极管玻璃
VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS
文件大小 :   325 K    
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品牌   MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
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100%
1N5415US通1N5420US
无空隙气密式
表面装载快速恢复
玻璃整流器
斯科茨代尔区划
描述
这种“快速恢复”整流二极管系列军用符合MIL -PRF-四百十一分之一万九千五百
是理想的高可靠性应用中的故障是不能容许的。
这些行业公认的3.0安培额定整流器的工作峰值反向
从50到600伏的电压是密封用无空隙玻璃
建筑使用内部“ I类”的冶金结合。这些设备是
也可在轴向引线封装的通孔安装,删除“美”
后缀(见直通1N5420单独的数据表为1N5415 ) 。 Microsemi的还提供
许多其他整流器产品,以满足更高和更低的额定电流与
不同的恢复时间速度的要求,包括快速和超快的设备类型
在这两个通孔和表面安装封装。
重要提示:
有关最新资料,请咨询
Microsemi的
网址:
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
包“ E”
或D -5B
特点
表面贴装型封装系列等同于
JEDEC注册1N5415 1N5420到系列
无空隙密封的玻璃封装
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
工作峰值反向电压50至600伏。
JAN , JANTX , JANTXV ,并提供JANS每MIL-
PRF-19500/411
轴向引线当量也可(参见单独的
数据表1N5415 1N5420直通)
应用/优势
快速恢复3安培整流器50到600 V
军事和其它高可靠性应用
一般整流应用,包括桥梁,半
桥梁,钳位二极管等。
高正向浪涌电流能力
极其坚固的结构
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
硬如Microsemi的描述本质辐射
MicroNote 050
最大额定值
结温: -65
o
C至+175
o
C
存储温度: -65
o
C至+175
o
C
热电阻: 10
o
C / W结到封端
热阻抗: 1.5
o
C / W @ 10毫秒加热时间
正向平均整流电流(I
O
) : 3安培@
T
A
= 55℃和2安培@ T
A
= 100℃ (见注1 )
正向浪涌电流( 8.3 ms半正弦) : 80安培
焊接温度: 260
o
下10秒(最大)
机械及包装
案例:全密封无空隙硬玻璃
钨蛞蝓
端子:端盖固与银
锡/铅(Sn / Pb)的光洁度
只有阴极乐队:标记
极性:负极指示的带
磁带&卷轴选项:每个标准EIA- 481 -B
重量: 539毫克
请参阅封装尺寸,并建议垫
最后一页布局
最大
反向
当前
I
R
@ V
RWM
o
o
100 C
25 C
µA
µA
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
最大
反向
恢复
时间T
rr
(注2 )
ns
150
150
150
150
250
400
平均
纠正
电流I
O
(注1 )
o
o
100 C
55 C
安培
安培
3.0
2.0
3.0
2.0
3.0
2.0
3.0
2.0
3.0
2.0
3.0
2.0
电气特性
最低
击穿
电压
V
BR
@ 50µA
1N5415US
1N5416US
1N5417US
1N5418US
1N5419US
1N5420US
50V
100V
200V
400V
500V
600V
55V
110V
220V
440V
550V
660V
前锋
电压
V
F
@ 9 A
分钟。
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
0.6
马克斯。
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1N5415 1N5420直通
TYPE
V
RWM
o
o
o
o
注1 :
从3.0安培在T
A
= 55℃ ,线性降额在22毫安/ C至2.0安培在T
A
= 100℃以上牛逼
A
= 100℃ ,减免
线性为零在T
A
= 175
o
C.这些环境的评级是用于PC板,其中从安装点的热阻
周围被充分控制,其中T
J(下最大)
不超过175
o
C.
注2 :
I
F
= 0.5A ,我
RM
= 1A ,我
R( REC )
= 0.250A
版权
2004
2004年11月22日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
第1页
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