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IN5518BUR - 1直通1N5546BUR - 1
(或MLL5518B -1直通MLL5546B -1)
斯科茨代尔区划
低电压表面贴装
500 mW的雪崩二极管
描述
该1N5518BUR - 1直通系列0.5瓦1N5546BUR - 1玻璃表面
安装齐纳电压调节器提供了从3.3至33伏的选择
确定了不同标准的5 %的容差以及更严格的公差
后缀字母上的部件号。这些具有内部冶金债券
选择所确定的“-1”的后缀。该内部齐纳保税包
建设也是一月, JANTX ,并JANTXV军事资格。
Microsemi的还提供了许多其他稳压产品,以满足更高
低功耗应用。
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-213AA
重要提示:
有关最新资料,请咨询
Microsemi的
网址:
http://www.microsemi.com
特点
表面贴装等同于JEDEC注册
1N5518 1N5546直通系列
内部的冶金结合以“-1”的后缀
一月, JANTX ,并JANTXV也可
每MIL -PRF-四百三十七分之一万九千五资格加入
在JAN , JANTX ,或JANTXV前缀部分
筛选的理想水平数; (例如
JANTX1N4099UR -1, JANTXV1N4109CUR -1等)的
也可不用“-1”非化学键类型
后缀为轴向和表面安装
套餐
DO- 7或DO- 35玻璃体轴向引线齐纳
也可根据JEDEC注册当量
部件号1N5518 1N5546通上
单独的数据表
应用/优势
调节电压在很宽的工作电流
和温度范围
丰富的选择,从3.3至33 V
标准电压容差的正/负5 %以
一个“B ”后缀,例如1N5518BUR - 1等。
在加或减2%或1%的可用的紧密度容限
分别用C或D后缀,例如1N5518CUR -1,
1N5518DUR - 1等。
密封表面贴装封装
不敏感每MIL -STD -750方法1020 ESD
最小电容(参见图3)
硬如Microsemi的描述本质辐射
MicroNote 050
最大额定值
操作和储存温度: -65
º
C到
+175
º
C
热电阻: 100
º
C / W结到端盖,
或250
º
安装时C / W结到环境
FR4印刷电路板( 1盎司铜)与推荐
足迹(见最后一页)
稳定状态功率:0.5瓦端盖
温度T
EC
& LT ; 125
o
C或在室温牛逼
A
& LT ; 50
º
C
在FR4印刷电路板时,如对于
上述热敏电阻(参见图2为
降额)
正向电压@ 200毫安: 1.1伏特
焊接温度: 260
º
下进行10秒(最大)
机械及包装
案例:全密封玻璃DO- 213AA
( SOD80或MLL34 ) MELF风格包
端子:端盖锡铅镀焊
每MIL -STD- 750 ,方法2026
极性:负极指示的带在哪里
二极管是要与带状端正操作
相对于所述另一端为齐纳调节
只有阴极乐队:标记
TAPE & REEL选项:按标准EIA- 481-1 -A
12毫米磁带, 2000元7寸盘或5000元
13英寸卷轴(加“ TR”后缀的部件号)
重量: 0.04克的
请参阅最后一页的封装尺寸
1N5518BUR - 1N5546BUR
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
第1页
IN5518BUR - 1直通1N5546BUR - 1
(或MLL5518B -1直通MLL5546B -1)
斯科茨代尔区划
低电压表面贴装
500 mW的雪崩二极管
WWW .
Microsemi的
.C
OM
电气特性
JEDEC TYPE
(注1及
注7 )
公称
齐纳
电压
TEST
当前
(T
A
= 25
o
C除非另有说明。基于在DC测量
马克斯。反向电流
(注4 )
B-C -D
苏FFI X
最大
直流稳压
当前
(注5 )
MADC
115
105
98
88
81
75
68
61
56
51
46
42
38
35
32
29
27
25
24
22
21
20
19
17
16
15
14
13
12
B-C -D后缀
马克斯。噪音
密度
在我
Z
= 250µA
因素
(注6 )
低V
Z
当前
(注6 )
热平衡;
V
F
= 1.1最大@ IF = 200 mA时的所有类型。 )
V
Z
@ I
ZT
(注2 )
I
ZT
MADC
20
20
20
20
10
5.0
3.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
马克斯。齐纳
阻抗
B-C -D后缀
Z
ZT
@ I
ZT
(注3)
26
24
22
18
22
26
30
30
30
35
40
45
60
80
90
90
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
∆V
Z
I
ZL
I
R
μAdc
5.0
3.0
1.0
3.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.1
0.05
0.05
0.05
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
V
R
- 伏特
NON & A-
苏FFI X
0.90
0.90
0.90
1.0
1.5
2.0
3.0
4.5
5.5
6.0
6.5
7.0
8.0
9.0
9.5
10.5
11.5
12.5
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
20.0
21.0
23.0
24.0
28.0
B-C -D
苏FFI X
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.5
5.0
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
9.9
10.8
11.7
12.6
13.5
14.4
15.3
16.2
17.1
18.0
19.8
21.6
22.4
25.2
27.0
29.7
I
ZM
N
D
μV / √Hz的
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1.0
1.0
1.0
2.0
4.0
4.0
4.0
5.0
10
15
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
0.90
0.90
0.85
0.75
0.60
0.65
0.30
0.20
0.10
0.05
0.05
0.05
0.10
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
MADC
2.0
2.0
2.0
2.0
1.0
0.25
0.25
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
1N5518BUR-1
1N5519BUR-1
1N5520BUR-1
1N5521BUR-1
1N5522BUR-1
1N5523BUR-1
1N5524BUR-1
1N5525BUR-1
1N5526BUR-1
1N5527BUR-1
1N5528BUR-1
1N5529BUR-1
1N5530BUR-1
1N5531BUR-1
1N5532BUR-1
1N5533BUR-1
1N5534BUR-1
1N5535BUR-1
1N5536BUR-1
1N5537BUR-1
1N5538BUR-1
1N5539BUR-1
1N5540BUR-1
1N5541BUR-1
1N5542BUR-1
1N5543BUR-1
1N5544BUR-1
1N5545BUR-1
1N5546BUR-1
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
22.0
24.0
25.0
28.0
30.0
33.0
注意事项:
1.耐受性和电压名称 -
前UR - 1的后缀不带字母的JEDEC型数字+/- 20 %有保证的限制只有V
Z
, I
R
和V
F
.
单位以“A”之前UR - 1的后缀是+/- 10 %有保证的限制V
Z
, I
R
和V
F
。单位担保限额为所有六个
参数是由A,B后缀为+/- 5.0 %的单位,C标表示为+/- 2.0 %和D后缀为+/- 1.0 %,前UR - 1的后缀。
2.齐纳电压(V
Z
)测量 -
o
额定齐纳电压的测量与热平衡设备连接点与25℃的环境温度
3.齐纳阻抗(Z
Z
)测量 -
齐纳阻抗是从60赫兹的交流电压时,具有均方根值等于10%的交流电流时,其导致来自
直流稳压电流(Ⅰ
ZT
)被叠加在我
ZT
.
4.反向电流(I
R
) –
反向电流,并保证在V测量
R
如在表中所示。
5.最大稳压电流(I
ZM
) –
所示的最大电流是如图MIL-PRF-四百三十七分之一万九千五。
6.最大调整率( ΔV
Z
) –
∆V
Z
为V之间的最大差
Z
在我
ZT
和V
Z
在我
ZL
在热平衡器件的结点进行测量。
7.品名 - 这些可以订购的任何1N5518BUR - 1直通1N5546BUR - 1或作为直通MLL5546B - 1部分MLL5518B - 1
号。军事类型,使用1NxxxUR - 1格式,还包括JAN , JANTX ,或JANTXV前缀所需的筛选
水平,例如JANTX1N5518BUR -1, JANTXV1N5532BUR -1, JANTXV1N5534CUR -1, JANTXV1N5545DUR - 1等。
1N5518BUR - 1N5546BUR
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
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IN5518BUR - 1直通1N5546BUR - 1
(或MLL5518B -1直通MLL5546B -1)
斯科茨代尔区划
低电压表面贴装
500 mW的雪崩二极管
图形和电路
P
d
额定功耗(MW )
噪声密度,(N-
D
)是在指定的
微伏均方根每平方根赫兹。
实际测量中进行
用1kHz到3kHz的频率
带通滤光器以恒定的齐纳测试
o
电流(I
ZT
) ,在25℃的环境
温度。
WWW .
Microsemi的
.C
OM
T
EC
T
A
T
EC
,端盖温度(℃ )或T
A
在FR4 PC板环境温度的
o
图1
噪声密度
测量电路
图2
功率降额曲线
单位:pF的典型电容(pF )
科幻gure 3
齐纳电压V
Z
电容与齐纳电压(典型值)
图4
齐纳二极管的特性和符号识别
1N5518BUR - 1N5546BUR
包装尺寸
暗淡
A
B
C
英寸
最大
0.063
0.067
0.130
0.146
0.016
0.022
MILLIMETERS
最大
1.60
1.70
3.30
3.70
0.41
0.55
A
B
C
焊盘布局
英寸
.200
.055
.080
mm
5.08
1.40
2.03
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
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1N5518AUR-1E3

Zener Diode, 3.3V V(Z), 10%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, MLL34, MELF-2
1 MICROSEMI

1N5518AUR-1E3

Zener Diode, 3.3V V(Z), 10%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, MLL34, MELF-2
0 MICROSEMI

1N5518AUR-1E3TR

Zener Diode, 3.3V V(Z), 10%, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, MLL34, MELF-2
0 MICROSEMI

1N5518AUR-1TR

Zener Diode, 3.3V V(Z), 10%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, MLL34, MELF-2
0 MICROSEMI

1N5518AURTR-1

Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes
14 MICROSEMI

1N5518B

LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW
14 MICROSEMI