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电子元器件数据表 IC PDF查询 |
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| A3PN0151QNG100I A3PN015QNG100ES A3PN015VQG100YI A3PN0152QNG100YI A3PN0152QN100Y A3PN015Z1QN100I A3PN015Z2QNG100ES A3PN015VQ100Y A3PN0152QN100I A3PN015Z2QN100PP | ||||||||||
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 修订11 纳米的ProASIC3快闪FPGA 特点和优点 特点宽范围 • 10 K至250周期管理·盖茨 •高达36千位的真双端口SRAM •最多71用户I / O 先进的I / O • 1.5 V， 1.8 V ， 2.5 V和3.3 V混合电压操作 •银行可选的I / O电压，高达每片4银行 •单端I / O标准： LVTTL ， LVCMOS 3.3 V / 2.5 V / 1.8 V / 1.5 V •每个JESD8 -B宽范围电源电压支持， 允许的I / O从2.7 V至3.6 V •I / O寄存器的输入，输出和启用路径 •可选的施密特触发器输入 •热插拔和冷备用的I / O •可编程输出摆率 † 和驱动强度 •弱上拉/断电 • IEEE 1149.1 （ JTAG ）边界扫描测试 •引脚兼容的跨ProASIC3系列套餐 •最多六个CCC块，一个具有集成PLL •可配置的相移，乘法/除法，延迟 能力和外部反馈 •宽输入频率范围（ 1.5兆赫至350兆赫） 编程的Flash技术 • 130纳米， 7层金属（ 6铜） ，基于闪存的CMOS 过程 •即时在0级支持 •单芯片解决方案 •保留编程设计，当电源关闭 高性能 • 350 MHz的系统性能 在系统编程（ ISP）和安全性 • ISP使用片上128位高级加密标准 （ AES ），通过JTAG解密（ IEEE 1532标准） † •的FlashLock ® 旨在确保FPGA内容 时钟调整电路（ CCC）和PLL † 低功耗 • • • • 低功耗 纳米产品 1.5 V核心电压的低功耗 支持1.5 V-只有系统 低阻抗的Flash开关 的ProASIC ® 3 嵌入式存储器 • 1千比特的FlashROM用户非易失性存储器 •静态存储器和FIFO具有可变宽高比4,608位RAM 块（ ×1，× 2，× 4 ， ×9 ，而×18的组织） † •真正的双端口SRAM （除非× 18组织） † 高性能路由层次 •分段，分层路由和时钟结构 加强商业级温度范围 • -20 ° C至+ 70°C 表1 •的ProASIC3 nano器件 的ProASIC3 nano器件 的ProASIC3纳米-Z设备 1 系统门 典型等效宏单元 VersaTiles （ D型触发器） RAM千位（ 1,024位） 2 4,608位块 2 A3PN010 10,000 86 260 – – 1 A3PN015 1 A3PN020 15,000 128 384 – – 1 – – 4 3 49 – QN68 20,000 172 520 – – 1 – – 4 3 49 52 QN68 30,000 256 768 – – 1 – – 6 2 77 83 QN48 ， QN68 VQ100 A3PN060 60,000 512 1,536 18 4 1 是的 1 18 2 71 71 A3PN125 125,000 1,024 3,072 36 8 1 是的 1 18 2 71 71 A3PN250 A3N250Z 1 250,000 2,048 6,144 36 8 1 是的 1 18 4 68 68 A3PN030Z 1,2 A3PN060Z 1 A3PN125Z 1 FlashROM的千位 安全（ AES ） ISP VersaNet全局 I / O组 最大用户I / O （封装器件） 最大用户I / O （已知合格芯片） 封装引脚 QFN VQFP 2 2 – – 4 2 34 34 QN48 集成PLL的核心承诺 VQ100 VQ100 VQ100 注意事项： 1.不建议用于新设计。 2. A3PN030Z和更小的设备不支持此功能。 3.对于高密度和支持的附加功能，指的是 和 数据表。 † A3PN030和更小的设备不支持此功能。 2013年1月 © 2013 Microsemi的公司 I
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