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XC6371C202DL  XC6216C20C202EL  XC6216B20C202ER  XC6366C202ER  XC6204C202DR  XC6210C202DL  XC6365C202EL  XC6204C202DL  XC6205C202DL  XC6204C202DL  
A3PN0152QN100PP 纳米的ProASIC3快闪FPGA (ProASIC3 nano Flash FPGAs)
.型号:   A3PN0152QN100PP
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描述: 纳米的ProASIC3快闪FPGA
ProASIC3 nano Flash FPGAs
文件大小 :   6102 K    
页数 : 114 页
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品牌   MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
购买 :   
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修订11
纳米的ProASIC3快闪FPGA
特点和优点
特点宽范围
• 10 K至250周期管理·盖茨
•高达36千位的真双端口SRAM
•最多71用户I / O
先进的I / O
• 1.5 V, 1.8 V , 2.5 V和3.3 V混合电压操作
•银行可选的I / O电压,高达每片4银行
•单端I / O标准: LVTTL , LVCMOS 3.3 V /
2.5 V / 1.8 V / 1.5 V
•每个JESD8 -B宽范围电源电压支持,
允许的I / O从2.7 V至3.6 V
•I / O寄存器的输入,输出和启用路径
•可选的施密特触发器输入
•热插拔和冷备用的I / O
•可编程输出摆率
和驱动强度
•弱上拉/断电
• IEEE 1149.1 ( JTAG )边界扫描测试
•引脚兼容的跨ProASIC3系列套餐
•最多六个CCC块,一个具有集成PLL
•可配置的相移,乘法/除法,延迟
能力和外部反馈
•宽输入频率范围( 1.5兆赫至350兆赫)
编程的Flash技术
• 130纳米, 7层金属( 6铜) ,基于闪存的CMOS
过程
•即时在0级支持
•单芯片解决方案
•保留编程设计,当电源关闭
高性能
• 350 MHz的系统性能
在系统编程( ISP)和安全性
• ISP使用片上128位高级加密标准
( AES ),通过JTAG解密( IEEE 1532标准)
•的FlashLock
®
旨在确保FPGA内容
时钟调整电路( CCC)和PLL
低功耗
低功耗
纳米产品
1.5 V核心电压的低功耗
支持1.5 V-只有系统
低阻抗的Flash开关
的ProASIC
®
3
嵌入式存储器
• 1千比特的FlashROM用户非易失性存储器
•静态存储器和FIFO具有可变宽高比4,608位RAM
块( ×1,× 2,× 4 , ×9 ,而×18的组织)
•真正的双端口SRAM (除非× 18组织)
高性能路由层次
•分段,分层路由和时钟结构
加强商业级温度范围
• -20 ° C至+ 70°C
表1 •的ProASIC3 nano器件
的ProASIC3 nano器件
的ProASIC3纳米-Z设备
1
系统门
典型等效​​宏单元
VersaTiles ( D型触发器)
RAM千位( 1,024位)
2
4,608位块
2
A3PN010
10,000
86
260
1
A3PN015
1
A3PN020
15,000
128
384
1
4
3
49
QN68
20,000
172
520
1
4
3
49
52
QN68
30,000
256
768
1
6
2
77
83
QN48 , QN68
VQ100
A3PN060
60,000
512
1,536
18
4
1
是的
1
18
2
71
71
A3PN125
125,000
1,024
3,072
36
8
1
是的
1
18
2
71
71
A3PN250
A3N250Z
1
250,000
2,048
6,144
36
8
1
是的
1
18
4
68
68
A3PN030Z
1,2
A3PN060Z
1
A3PN125Z
1
FlashROM的千位
安全( AES ) ISP
VersaNet全局
I / O组
最大用户I / O (封装器件)
最大用户I / O (已知合格芯片)
封装引脚
QFN
VQFP
2
2
4
2
34
34
QN48
集成PLL的核心承诺
VQ100
VQ100
VQ100
注意事项:
1.不建议用于新设计。
2. A3PN030Z和更小的设备不支持此功能。
3.对于高密度和支持的附加功能,指的是
数据表。
† A3PN030和更小的设备不支持此功能。
2013年1月
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I
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