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A3PN015Z1VQ100I 纳米的ProASIC3快闪FPGA (ProASIC3 nano Flash FPGAs)
.型号:   A3PN015Z1VQ100I
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描述: 纳米的ProASIC3快闪FPGA
ProASIC3 nano Flash FPGAs
文件大小 :   6102 K    
页数 : 114 页
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品牌   MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
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100%
纳米的ProASIC3器件概述
安全性,内置的FPGA架构,是的ProASIC3 nano器件的固有组成部分。闪光灯电池
位于下方7的金属层,和许多设备的设计和布局技术已被用来
以侵入式攻击非常困难。的ProASIC3 nano器件,用的FlashLock和AES安全性,
在被双方侵入性和非侵入性的攻击,高抗独特。您宝贵的IP是
与行业标准的安全保护,使远程ISP可能。一纳米的ProASIC3器件
为可编程逻辑设计最好的安全性。
单芯片
以Flash为基础的FPGA存储其配置信息在片上闪存单元。一旦编程,
配置数据是FPGA结构的固有部分,没有外部配置数据需要
在系统上电(不像SRAM为基础的FPGA )被加载。因此,以Flash为基础的ProASIC3纳米
FPGA中不需要系统配置部件,诸如EEPROM或微控制器来加载
设备的配置数据。这减少元器件用材料成本和PCB面积,并提高安全性和
系统的可靠性。
即时开
Microsemi的基于闪存的即时关于分类标准的ProASIC3 nano器件支持0级。
此功能可帮助系统组件初始化,执行关键任务的处理器之前
醒来时,设置和存储器模块,时钟产生的配置和总线活动的管理。
即时在闪存为基础的ProASIC3 nano器件的功能大大简化了总体系统设计和
降低系统成本,经常消除所使用的必要的CPLD和时钟生成锁相环
用于这些目的的系统中。此外,毛刺和限电系统电源不会损坏
纳米的ProASIC3器件的闪存配置,而且不像基于SRAM的FPGA ,该设备将不必
当系统恢复供电重新加载。这使得能够减少或完全除去的
从配置PROM ,昂贵的电压监控器,掉电检测和时钟发生器设备
PCB设计。以Flash为基础的ProASIC3 nano器件简化了总体系统设计,降低成本,
设计风险,同时提高了系统的可靠性,提高系统初始化的时候。
固件错误
出现固件错误最常见的,当高能中子,在高层大气中,产生罢工
的结构的SRAM的FPGA的细胞。碰撞的能量可以改变的状态
配置单元,从而改变逻辑,路由或以不可预知的方式I / O行为。这些
错误是不可能的,以防止存储在SRAM的FPGA。这种类型的错误的结果可以是一个
完整的系统故障。坚定的错误不会在纳米的ProASIC3闪烁的配置存储器存在
基于FPGA的。一旦被编程,对纳米的ProASIC3 FPGA中的闪存单元结构元件
不能由高能中子改变,因此是不受它们。可恢复(或软)错误
发生在所有FPGA器件的用户数据SRAM。这些可以很容易地通过使用错误检测来减轻
和纠正( EDAC )电路内置于FPGA架构。
低功耗
类似于ASIC的Flash为基础的ProASIC3 nano器件表现出功率特性,使得它们的
对于功耗敏感的应用的理想选择。的ProASIC3 nano器件只有非常有限的电
浪涌电流和无大电流过渡期间,这两者上发生许多的FPGA。
的ProASIC3 nano器件还具有低动态功耗,进一步最大限度地节省功耗。
先进的闪存技术
的ProASIC3 nano器件提供了许多好处,包括通过非易失性和可重编程
先进的基于闪存的, 130纳米LVCMOS过程七层金属。标准CMOS设计
技术被用于实现逻辑和控制功能。精细粒度的组合,
增强灵活的路由资源,和丰富的闪光灯开关允许非常高的逻辑利用率
不影响设备的路由能力和性能。在装置内的逻辑功能是
通过四级层次结构的路由互连。
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