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![]() 修订17 IGLOO纳米低功耗快闪FPGA 与Flash * Freeze技术 特点和优点 低功耗 纳安级消费 - 业界最低功耗 1.2 V至低功率1.5V的核心电压支持 支持单电压系统操作 低功耗FPGA的主动操作 闪光灯* Freeze技术使超低功耗 消耗,同时保持FPGA内容 •方便快捷的出入/退出超低功耗Flash * Freeze模式 •小3×3毫米大小 • • • • • 高性能路由层次 先进的I / O •分段,分层路由和时钟结构 • 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V , 2.5 V和3.3 V混合电压操作 •银行可选的I / O电压,高达每片4银行 •单端I / O标准: LVTTL , LVCMOS 3.3 V / 2.5 V / 1.8 V / 1.5 V / 1.2 V •每个JESD8 -B宽范围电源电压支持, 允许的I / O从2.7 V至3.6 V •每个JESD8-12宽范围电源电压支持, 允许的I / O从1.14 V至1.575 V •I / O寄存器的输入,输出和启用路径 •可选的施密特触发器输入 •热插拔和冷备用的I / O •可编程输出摆率和驱动强度 •弱上拉/断电 • IEEE 1149.1 ( JTAG )边界扫描测试 •引脚兼容跨越IGLOO包 ® 家庭 † •最多六个CCC块,一个具有集成PLL •可配置的相移,乘法/除法,延迟 能力和外部反馈 •宽输入频率范围( 1.5 MHz到250 MHz的) • 1千比特的FlashROM用户非易失性存储器 •静态存储器和FIFO具有可变宽高比4,608位RAM 块( ×1,× 2,× 4 , ×9 ,而×18的组织) •真双端口SRAM (除× 18组织) • TJ = -20 ° C至+ 85°C 小型封装 特点宽范围 编程的Flash技术 • • • • • 130纳米, 7层金属,基于闪存的CMOS工艺 即时在0级支持 单芯片解决方案 保留编程设计当电源关闭 250兆赫( 1.5 V系统)和160兆赫( 1.2 V系统)系统 性能 • 10,000至250,000个系统门 •高达36千位的真双端口SRAM •最多71用户I / O 时钟调整电路( CCC)和PLL 在系统编程( ISP)和安全性 嵌入式存储器 • ISP使用片上128位高级加密标准 ( AES ),通过JTAG解密( IEEE 1532标准) •的FlashLock ® 旨在确保FPGA内容 • 1.2伏编程 加强商业级温度范围 AGLN060 AGLN030Z 1 IGLOO nano器件 IGLOO纳米-Z设备 系统门 典型等效宏单元 VersaTiles ( D型触发器) Flash * Freeze模式(典型值, μW ) RAM千位( 1,024位) 2 4,608位块 安全( AES ) 2 1 AGLN010 AGLN015 1 AGLN020 10,000 86 260 2 – – 1 – 2,3 AGLN125 1 AGLN250 1 AGLN060Z 60,000 512 1,536 10 18 4 1 是的 1 18 2 71 71 CS81 VQ100 AGLN125Z 125,000 1,024 3,072 16 36 8 1 是的 1 18 2 71 71 CS81 VQ100 AGLN250Z 1 250,000 2,048 6,144 24 36 8 1 是的 1 18 4 68 68 CS81 VQ100 15,000 128 384 4 – – 1 – – 4 3 49 – 20,000 172 520 4 – – 1 – – 4 3 52 52 UC81, CS81 QN68 30,000 256 768 5 – – 1 – – 6 2 77 83 UC81 , CS81 QN48 , QN68 VQ100 FlashROM的千位( 1,024位) ISP 2 集成PLL的核心承诺 VersaNet全局 I / O组 最大用户I / O (封装器件) 最大用户I / O (已知合格芯片) 封装引脚 UC / CS QFN VQFP – 4 2 34 34 UC36 QN48 QN68 注意事项: 1. 2. 3. 4. 不建议用于新设计。 AGLN030和更小的设备不支持此功能。 AGLN060 , AGLN125和AGLN250在CS81包不支持的PLL 。 对于高密度和支持的附加功能,指的是 和 数据表。 † AGLN030和更小的设备不支持此功能。 2013年6月 © 2013 Microsemi的公司 I
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