修订版3

军队的ProASIC3 / EL低功耗快闪FPGA

与Flash * Freeze技术

特点和优点

军用温度检测合格

•从-55每个设备测试° C至125°C

先进和Pro （专业版）的I / O

††

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•

700 Mbps的DDR ， LVDS ，有能力的I / O

1.2 V， 1.5 V， 1.8 V ， 2.5 V和3.3 V混合电压操作

†

银行可选的I / O电压，高达每芯片的8家银行

单端I / O标准： LVTTL ， LVCMOS 3.3 V /

2.5 V / 1.8 V / 1.5 V / 1.2 V， 3.3 V PCI / 3.3 V PCI -X和

LVCMOS 2.5 V / 5.0 V输入

†

差分I / O标准： LVPECL ， LVDS ， BLVDS ，以及M- LVDS

电压参考I / O标准： GTL + 2.5 V / 3.3 V ， GTL

2.5 V / 3.3 V ， HSTL I类和II ， SSTL2 I类和II ， SSTL3

I类和II （ A3PE3000L只）

I / O寄存器的输入，输出和启用路径

热插拔和冷备用的I / O

可编程的输出压摆率和驱动强度

可编程输入延时（ A3PE3000L只）

在单端输入施密特触发器选项（ A3PE3000L ）

弱上拉/降压

IEEE 1149.1 （ JTAG ）边界扫描测试

引脚兼容的跨军区的ProASIC包

®

3EL家庭

•架构支持超高使用率

固件错误免疫

•不易患中子诱发配置丢失

低功耗

•显着降低动态和静态功耗

• 1.2 V至1.5 V核心和低功耗I / O电压支持

†

•在Flash的低功耗* Freeze模式允许对

瞬间进入到/退出低功耗的Flash *冻结

模式

ƒ

•支持单电压系统操作

•低阻抗开关

大容量

• 250K至3M系统门

•高达504千比特的真双端口SRAM

•最多620用户I / O

编程的Flash技术

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•

130纳米， 7层金属（ 6铜） ，基于闪存的CMOS工艺

活在电即行（ LAPU ） 0级支持

单芯片解决方案

保留编程设计当电源关闭

时钟调整电路（ CCC）和PLL

•六CCC块，一个块集成PLL中的ProASIC3

和所有块集成PLL的ProASIC3EL

•可配置的相移，乘法/除法，延时功能，

和外部反馈

•宽输入频率范围1.5兆赫至250兆赫（ 1.2 V

系统）和350兆赫（ 1.5 V系统）

高性能

• 350兆赫（ 1.5 V系统）和250兆赫（ 1.2 V系统）系统

性能

• 3.3 V ， 66兆赫， 64位PCI （ 1.5 V系统）和66兆赫， 32位

PCI （ 1.2 V系统）

静态存储器和FIFO

•可变纵横4608位的RAM块（ ×1，× 2，× 4 ， ×9 ，

和× 18个组织提供）

•真正的双端口SRAM （除× 18 ）

• 24 SRAM和FIFO的配置与同步

操作：

- 250 MHz时： 1.2 V系统

- 350 MHz时： 1.5 V系统

• ARM的Cortex ™-M1软核处理器可提供带或不带

DEBUG

在系统编程（ ISP）和安全性

•安全ISP使用片上128位高级加密

通过JTAG标准（AES ）解密（ IEEE 1532标准）

•的FlashLock

®

以安全的FPGA内容

高性能路由层次

•分段，分层路由和时钟结构

•高性能，低偏移的全球网络

表1 -

军队的ProASIC3 / EL低功耗器件

A3P250

ARM

®

在的ProASIC3 / EL的FPGA处理器支持

的ProASIC3 / EL器件

器件

1

A3PE600L

A3P1000

M1A3P1000

1M

24,576

144

32

1

是的

1

18

4

154

PQ208

FG144 ， FG484

A3PE3000L

M1A3PE3000L

3M

75,264

504

112

1

是的

6

18

8

620

ARM的Cortex -M1

系统门

250,000

600,000

VersaTiles （ D型触发器）

6,144

13,824

RAM千位（ 1,024位）

36

108

4,608位块

8

24

FlashROM的千位

1

1

2

安全（ AES ） ISP

是的

是的

集成PLL的核心承诺

1

6

VersaNet全局

18

18

I / O组

4

8

最大用户I / O

68

270

封装引脚

VQFP

VQ100

PQFP

FBGA

FG484

注意事项：

1.请参阅

产品简介以获取更多信息。

2. AES是不能用于ARM功能的ProASIC3 / EL器件。

† A3P250和A3P1000只支持1.5 V的核心操作。

ƒ Flash * Freeze技术不适用于A3P250和A3P1000 。

††临的I / O不可用在A3P250和A3P1000 。

2012年9月

© 2011 Microsemi的公司

FG484 ， FG896

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