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![]() 修订版3 军队的ProASIC3 / EL低功耗快闪FPGA 与Flash * Freeze技术 特点和优点 军用温度检测合格 •从-55每个设备测试° C至125°C 先进和Pro (专业版)的I / O †† • • • • • • • • • • • • • • 700 Mbps的DDR , LVDS ,有能力的I / O 1.2 V, 1.5 V, 1.8 V , 2.5 V和3.3 V混合电压操作 † 银行可选的I / O电压,高达每芯片的8家银行 单端I / O标准: LVTTL , LVCMOS 3.3 V / 2.5 V / 1.8 V / 1.5 V / 1.2 V, 3.3 V PCI / 3.3 V PCI -X和 LVCMOS 2.5 V / 5.0 V输入 † 差分I / O标准: LVPECL , LVDS , BLVDS ,以及M- LVDS 电压参考I / O标准: GTL + 2.5 V / 3.3 V , GTL 2.5 V / 3.3 V , HSTL I类和II , SSTL2 I类和II , SSTL3 I类和II ( A3PE3000L只) I / O寄存器的输入,输出和启用路径 热插拔和冷备用的I / O 可编程的输出压摆率和驱动强度 可编程输入延时( A3PE3000L只) 在单端输入施密特触发器选项( A3PE3000L ) 弱上拉/降压 IEEE 1149.1 ( JTAG )边界扫描测试 引脚兼容的跨军区的ProASIC包 ® 3EL家庭 •架构支持超高使用率 固件错误免疫 •不易患中子诱发配置丢失 低功耗 •显着降低动态和静态功耗 • 1.2 V至1.5 V核心和低功耗I / O电压支持 † •在Flash的低功耗* Freeze模式允许对 瞬间进入到/退出低功耗的Flash *冻结 模式 ƒ •支持单电压系统操作 •低阻抗开关 大容量 • 250K至3M系统门 •高达504千比特的真双端口SRAM •最多620用户I / O 编程的Flash技术 • • • • 130纳米, 7层金属( 6铜) ,基于闪存的CMOS工艺 活在电即行( LAPU ) 0级支持 单芯片解决方案 保留编程设计当电源关闭 时钟调整电路( CCC)和PLL •六CCC块,一个块集成PLL中的ProASIC3 和所有块集成PLL的ProASIC3EL •可配置的相移,乘法/除法,延时功能, 和外部反馈 •宽输入频率范围1.5兆赫至250兆赫( 1.2 V 系统)和350兆赫( 1.5 V系统) 高性能 • 350兆赫( 1.5 V系统)和250兆赫( 1.2 V系统)系统 性能 • 3.3 V , 66兆赫, 64位PCI ( 1.5 V系统)和66兆赫, 32位 PCI ( 1.2 V系统) 静态存储器和FIFO •可变纵横4608位的RAM块( ×1,× 2,× 4 , ×9 , 和× 18个组织提供) •真正的双端口SRAM (除× 18 ) • 24 SRAM和FIFO的配置与同步 操作: - 250 MHz时: 1.2 V系统 - 350 MHz时: 1.5 V系统 • ARM的Cortex ™-M1软核处理器可提供带或不带 DEBUG 在系统编程( ISP)和安全性 •安全ISP使用片上128位高级加密 通过JTAG标准(AES )解密( IEEE 1532标准) •的FlashLock ® 以安全的FPGA内容 高性能路由层次 •分段,分层路由和时钟结构 •高性能,低偏移的全球网络 表1 - 军队的ProASIC3 / EL低功耗器件 A3P250 ARM ® 在的ProASIC3 / EL的FPGA处理器支持 的ProASIC3 / EL器件 器件 1 A3PE600L A3P1000 M1A3P1000 1M 24,576 144 32 1 是的 1 18 4 154 PQ208 FG144 , FG484 A3PE3000L M1A3PE3000L 3M 75,264 504 112 1 是的 6 18 8 620 ARM的Cortex -M1 系统门 250,000 600,000 VersaTiles ( D型触发器) 6,144 13,824 RAM千位( 1,024位) 36 108 4,608位块 8 24 FlashROM的千位 1 1 2 安全( AES ) ISP 是的 是的 集成PLL的核心承诺 1 6 VersaNet全局 18 18 I / O组 4 8 最大用户I / O 68 270 封装引脚 VQFP VQ100 PQFP FBGA FG484 注意事项: 1.请参阅 产品简介以获取更多信息。 2. AES是不能用于ARM功能的ProASIC3 / EL器件。 † A3P250和A3P1000只支持1.5 V的核心操作。 ƒ Flash * Freeze技术不适用于A3P250和A3P1000 。 ††临的I / O不可用在A3P250和A3P1000 。 2012年9月 © 2011 Microsemi的公司 FG484 , FG896 I
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