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IO251PDB6V2 军队的ProASIC3 / EL低功耗快闪FPGA和Flash * Freeze技术 (Military ProASIC3/EL Low Power Flash FPGAs with Flash*Freeze Technology)
.型号:   IO251PDB6V2
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描述: 军队的ProASIC3 / EL低功耗快闪FPGA和Flash * Freeze技术
Military ProASIC3/EL Low Power Flash FPGAs with Flash*Freeze Technology
文件大小 :   10501 K    
页数 : 212 页
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品牌   MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
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100%
1 - 军事的ProASIC3 / EL器件系列简介
概述
军队的ProASIC3 / EL系列闪存的FPGA显着降低动态功耗
40%和静态功率降低50%。这些电源节省加上性能,密度,真正的单
芯片,1.2 V至1.5 V内核和I / O操作,可重编程,以及先进的功能。
Microsemi的证明Flash * Freeze技术使军事ProASIC3EL设备用户关闭
动态功率瞬时和开关设备,以静态模式,而无需关掉时钟
或电源,并保持设备的内部状态。这极大地简化了电源管理。
此外,使用功率驱动布局优化的软件工具,提供即时的按键式电源
减少。
非易失性闪存技术使军队的ProASIC3 / EL器件是一个安全的优点,低
功耗,单芯片解决方案,是住在电( LAPU ) 。军队的ProASIC3 / EL器件提供了巨大的
动态功耗的节省,使FPGA用户的灵活性,低功耗的结合高性能。
这些功能使设计人员能够创建高密度系统使用现有的ASIC或FPGA设计
流程和工具。
军队的ProASIC3 / EL器件提供1千比特的芯片,可重编程,非易失性存储的FlashROM作为
以及时钟调节电路(CCC )的基础上的集成锁相环(PLL) 。军事
从250K系统门的ProASIC3 / EL器件支持设备300万系统门多达504
真正的双端口SRAM和620个用户I / O的千位。
M1军事的ProASIC3 / EL器件支持高性能的32位Cortex-M1处理器开发
通过ARM的FPGA实现。 ARM的Cortex -M1是一种柔软的处理器,它在全面实施
FPGA架构。它具有3级流水线,提供低功率消耗之间的良好平衡
并在M1军事的ProASIC3 / EL器件中实现时的速度。该处理器运行的ARMv6 -M
指令集,有一个可配置嵌套中断控制器,并且可以具有或不具有被实现
调试模块。 ARM的Cortex-M1可从Microsemi的在M1军事的ProASIC3 / EL不花钱使用
FPGA中。
在ARM的设备有开始M1和不支持AES订购号码
解密。
闪光灯* Freeze技术
军事ProASIC3EL设备提供Flash * Freeze技术,它可实现瞬间切换
激活状态到静止状态。当Flash * Freeze模式被激活,军事ProASIC3EL设备
进入静止状态,同时保持寄存器和SRAM的内容。以节省电能,而不
需要额外的外部元件关闭I / O或时钟。 Flash * Freeze技术相结合
在系统可编程性,使用户能够快速,轻松地升级和更新
设计在制造的最后阶段或在外地。军事ProASIC3EL设备的能力
支持1.2伏核心电压允许更大功耗降低,从而使
较低的总系统功耗。
当军事ProASIC3EL设备进入Flash * Freeze模式,设备会自动切断
时钟和输入到FPGA内核;当器件退出Flash * Freeze模式,所有的活动和恢复
数据将被保留。
低功耗模式的可用性,并结合一个可重新编程的,单芯片,单电压
解决方案,使适合于低功耗数据传输和处理军事ProASIC3EL设备
军用温度的应用中的可用功率可被限制(例如,在电池供电
设备);或者散热可能会受到限制(例如,在机箱不带强制冷却) 。
† Flash * Freeze技术不支持A3P1000 。
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